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AO4482 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 9:51:25 查看 閱讀：24

AO4482是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用DFN5x6-8封裝形式，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適用于各種高效能開(kāi)關(guān)應(yīng)用。AO4482通常用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及計(jì)算機(jī)相關(guān)的電源管理場(chǎng)景中。
　　AO4482的設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供高效率和出色的熱性能，同時(shí)保持小尺寸封裝以適應(yīng)現(xiàn)代電子產(chǎn)品的緊湊設(shè)計(jì)需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
　　柵極電荷：7.5nC
　　總電容：960pF
　　工作溫度范圍：-55℃ to 150℃

特性

AO4482具備低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），從而減少了傳導(dǎo)損耗，提高了系統(tǒng)效率。此外，其低柵極電荷和快速開(kāi)關(guān)能力使得該器件在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　該器件采用了先進(jìn)的制程工藝制造，確保了卓越的熱性能和可靠性。它的緊湊型DFN5x6-8封裝進(jìn)一步優(yōu)化了PCB布局空間利用率，同時(shí)增強(qiáng)了散熱性能。
　　AO4482還支持較寬的工作溫度范圍，能夠在嚴(yán)苛的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，非常適合對(duì)效率和熱管理有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)合。

應(yīng)用

AO4482廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器以及其他需要高效能功率開(kāi)關(guān)的領(lǐng)域。由于其出色的性能和緊湊的封裝形式，這款MOSFET特別適合便攜式設(shè)備、筆記本電腦適配器、平板電視等消費(fèi)電子產(chǎn)品。
　　在通信領(lǐng)域，AO4482可以作為基站或路由器中的功率開(kāi)關(guān)使用。同時(shí)，它也適用于工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及任何需要高性能功率管理解決方案的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

AO4480
　　IRLML6401
　　FDMQ8207

ao4482推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢(xún)價(jià)

ao4482參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類(lèi)別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C37 毫歐 @ 6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.7V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs44nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2000pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)