AO6604是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET,由Alpha and Omega Semiconductor(萬(wàn)代半導(dǎo)體)生產(chǎn)。該器件采用小尺寸的DFN3x3-8封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其出色的性能使其成為消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:4.8A
導(dǎo)通電阻:5.2mΩ
柵極電荷:9nC
輸入電容:1220pF
典型閾值電壓:1.2V
工作溫度范圍:-55℃至150℃
AO6604具有非常低的導(dǎo)通電阻,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高效率。同時(shí),它的柵極電荷較小,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開(kāi)關(guān)操作,從而降低開(kāi)關(guān)損耗。此外,該器件支持較寬的工作溫度范圍,并具備出色的熱穩(wěn)定性,確保在各種環(huán)境條件下都能可靠運(yùn)行。
由于采用了DFN3x3-8封裝,AO6604不僅節(jié)省了電路板空間,還提供了卓越的散熱性能。其增強(qiáng)型設(shè)計(jì)非常適合用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。
AO6604廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備充電器、適配器、筆記本電腦電源管理、LED驅(qū)動(dòng)器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。它在便攜式電子產(chǎn)品中的表現(xiàn)尤為突出,因?yàn)檫@些設(shè)備通常要求高效且緊湊的解決方案。此外,在分布式電源系統(tǒng)和多相電壓調(diào)節(jié)模塊中,AO6604也能發(fā)揮重要作用。
IRF7843N, FDS6600A