時間：2025/4/29 14:02:18
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AOD1N60是一款基于MOS工藝制造的高壓功率場效應晶體管（Power MOSFET），屬于N溝道增強型器件。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動、逆變器等需要高效能開關的電路中，其高耐壓特性和低導通電阻使其成為高性能功率管理的理想選擇。
該器件具有出色的電氣性能和可靠性，能夠承受較高的電壓并保持較低的導通損耗。此外，AOD1N60封裝緊湊，適合空間受限的應用場景。
最大漏源電壓：600V
最大連續(xù)漏極電流：1.1A
柵極閾值電壓：2~4V
導通電阻（Rds(on)）：900Ω（在Vgs=10V時）
總功耗：3W
結溫范圍：-55℃~+150℃
1. 高耐壓能力，額定漏源電壓為600V，適用于高壓應用環(huán)境。
2. 極低的導通電阻，確保了高效的功率傳輸，降低了能量損耗。
3. 快速開關特性，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。
4. 小型化設計，節(jié)省PCB布局空間，非常適合便攜式設備。
5. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，能夠在較寬的溫度范圍內可靠工作。
6. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
1. 開關電源（SMPS）中的高頻開關元件。
2. DC-DC轉換器中的功率開關。
3. 電機控制與驅動電路中的功率級元件。
4. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的關鍵功率處理組件。
5. 各類工業(yè)自動化及消費電子產品的功率管理模塊。
6. 電池保護和負載切換應用中的理想解決方案。
IRF640N, STP12NM60, FDP18N60C
