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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > AOD1N60

AOD1N60 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 14:02:18 查看 閱讀�37

AOD1N60是一款基于MOS工藝制造的高壓功率場效應晶體管(Power MOSFET),屬于N溝道增強型器�。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動、逆變器等需要高效能開關的電路中,其高耐壓特性和低導通電阻使其成為高性能功率管理的理想選��
  該器件具有出色的電氣性能和可靠�,能夠承受較高的電壓并保持較低的導通損耗。此�,AOD1N60封裝緊湊,適合空間受限的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�1.1A
  柵極閾值電壓:2~4V
  導通電阻(Rds(on)):900Ω(在Vgs=10V時)
  總功耗:3W
  結溫范圍�-55℃~+150�

特�

1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為600V,適用于高壓應用�(huán)��
  2. 極低的導通電�,確保了高效的功率傳輸,降低了能量損��
  3. 快速開關特性,有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
  4. 小型化設計,節(jié)省PCB布局空間,非常適合便攜式設備�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內可靠工作�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

應用

1. 開關電源(SMPS)中的高頻開關元��
  2. DC-DC轉換器中的功率開關�
  3. 電機控制與驅動電路中的功率級元件�
  4. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的關鍵功率處理組件�
  5. 各類工業(yè)自動化及消費電子產品的功率管理模塊�
  6. 電池保護和負載切換應用中的理想解決方��

替代型號

IRF640N, STP12NM60, FDP18N60C

aod1n60推薦供應� 更多>

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aod1n60參數(shù)

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 歐姆 @ 650mA�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs8nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds160pF @ 25V
  • 功率 - 最�45W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1179-6