AOD1N60是一款基于MOS工藝制造的高壓功率場效應晶體管(Power MOSFET),屬于N溝道增強型器�。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉換�、電機驅動、逆變器等需要高效能開關的電路中,其高耐壓特性和低導通電阻使其成為高性能功率管理的理想選��
該器件具有出色的電氣性能和可靠�,能夠承受較高的電壓并保持較低的導通損耗。此�,AOD1N60封裝緊湊,適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�1.1A
柵極閾值電壓:2~4V
導通電阻(Rds(on)):900Ω(在Vgs=10V時)
總功耗:3W
結溫范圍�-55℃~+150�
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為600V,適用于高壓應用�(huán)��
2. 極低的導通電�,確保了高效的功率傳輸,降低了能量損��
3. 快速開關特性,有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 小型化設計,節(jié)省PCB布局空間,非常適合便攜式設備�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內可靠工作�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
1. 開關電源(SMPS)中的高頻開關元��
2. DC-DC轉換器中的功率開關�
3. 電機控制與驅動電路中的功率級元件�
4. 逆變器和UPS系統(tǒng)中的關鍵功率處理組件�
5. 各類工業(yè)自動化及消費電子產品的功率管理模塊�
6. 電池保護和負載切換應用中的理想解決方��
IRF640N, STP12NM60, FDP18N60C