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AOD32334C 發(fā)布時間 時間:2025/5/16 14:39:07 查看 閱讀:20

AOD32334C是一款高性能的MOSFET功率晶體管,屬于AO(Alpha and Omega)系列。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種電源管理應(yīng)用場合,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。AOD32334C采用了小型化封裝技術(shù),能夠節(jié)省電路板空間,同時保持高效的散熱性能。
  該器件特別適合需要高效率和低損耗的應(yīng)用場景,其設(shè)計(jì)優(yōu)化了動態(tài)特性和靜態(tài)特性之間的平衡,使其成為便攜式電子設(shè)備的理想選擇。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  封裝:DFN5x6
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±8V
  連續(xù)漏極電流(Id):17A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.9mΩ
  總功耗(Ptot):1.6W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  柵極電荷(Qg):37nC

特性

AOD32334C具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻開關(guān)電源應(yīng)用。
  3. 小型化的DFN5x6封裝,減少了PCB占用面積。
  4. 優(yōu)異的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 支持大電流操作,確保在高負(fù)載條件下的可靠性。
  6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境。
  7. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
  AOD32334C的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對高效能、小型化和可靠性的需求。

應(yīng)用

AOD32334C廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
  2. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理單元。
  4. 工業(yè)控制中的電機(jī)驅(qū)動。
  5. 開關(guān)電源(SMPS)。
  6. 充電器和適配器。
  7. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子設(shè)備。
  由于其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)能力,AOD32334C非常適合用于需要高效率和緊湊設(shè)計(jì)的電源解決方案。

替代型號

AOD32334C-E3, AOD32334CW

aod32334c推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
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  • 封裝/批號
  • 詢價

aod32334c參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格2,500 : ¥1.43254卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)11A(Ta),12A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)20 毫歐 @ 12A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)170 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)600 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta),39W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252(DPAK)
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63