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AOD66406 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 9:21:25 查看 閱讀:12

AOD66406是一款高性能的N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于廣泛的開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
  這種MOSFET通常被用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效能和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景中。

參數(shù)

型號(hào):AOD66406
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):28A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.1mΩ
  柵極電荷(Qg):47nC
  總電容(Ciss):2950pF
  功耗(Ptot):15W
  工作溫度范圍:-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-220

特性

AOD66406具備極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功率損耗。
  其高擊穿電壓確保了器件能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)安全運(yùn)行。
  此外,該器件的快速開(kāi)關(guān)特性減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失,提高了整體效率。
  由于采用了優(yōu)化的熱設(shè)計(jì),AOD66406可以承受較高的結(jié)溫,從而增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和壽命。
  它還具有出色的靜電放電(ESD)防護(hù)能力,進(jìn)一步提高了產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境中的耐用性。

應(yīng)用

AOD66406廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
  - 逆變器和轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件
  - 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
  - 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制
  此外,這款MOSFET也適合用于需要高效能功率切換的其他應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

AON66406,AOT66406

aod66406推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aod66406參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量27,797現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥4.77000剪切帶(CT)2,500 : ¥1.83977卷帶(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)25A(Ta),60A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)6.1 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1480 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),52W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252(DPAK)
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63