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AOD66406 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/3 9:21:25 查看 閱讀：12

AOD66406是一款高性能的N溝道MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），適用于廣泛的開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。
　　這種MOSFET通常被用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及其他需要高效能和低損耗的應(yīng)用場(chǎng)景中。

參數(shù)

型號(hào)：AOD66406
　　類型：N-Channel MOSFET
　　漏源極擊穿電壓(Vds)：60V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：28A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.1mΩ
　　柵極電荷(Qg)：47nC
　　總電容(Ciss)：2950pF
　　功耗(Ptot)：15W
　　工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
　　封裝形式：TO-220

特性

AOD66406具備極低的導(dǎo)通電阻Rds(on)，這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功率損耗。
　　其高擊穿電壓確保了器件能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)安全運(yùn)行。
　　此外，該器件的快速開(kāi)關(guān)特性減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失，提高了整體效率。
　　由于采用了優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)，AOD66406可以承受較高的結(jié)溫，從而增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和壽命。
　　它還具有出色的靜電放電(ESD)防護(hù)能力，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品在實(shí)際環(huán)境中的耐用性。

應(yīng)用

AOD66406廣泛應(yīng)用于各類工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　- 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
　　- 逆變器和轉(zhuǎn)換器中的關(guān)鍵組件
　　- 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路
　　- 負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路
　　- 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制
　　此外，這款MOSFET也適合用于需要高效能功率切換的其他應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

AON66406,AOT66406

aod66406推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aod66406參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量27,797現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥4.77000剪切帶（CT）2,500 : ￥1.83977卷帶（TR）
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)25A（Ta），60A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）6.1 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）30 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1480 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）6.2W（Ta），52W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252（DPAK）
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63