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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AOD66919

AOD66919 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 8:53:30 查看 閱讀�24

AOD66919是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,適用于各種高效能電源管理應(yīng)��
  其封裝形式通常為T(mén)O-252(DPAK�,能夠在高頻工作條件下提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。AOD66919廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功耗:1.8W
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

AOD66919具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻工作場(chǎng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 高雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,適合緊湊型�(yīng)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛焊接兼��
  AOD66919的設(shè)�(jì)使其在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定性能,非常適合對(duì)散熱要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

AOD66919適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流或主開(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為高�(cè)或低�(cè)�(kāi)�(guān)元件�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān)用于保護(hù)電路免受�(guò)流影��
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的功率通路控制�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  由于其高效率和可靠�,AOD66919成為眾多工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品設(shè)�(jì)的理想選��

替代型號(hào)

AOD66918, AOD66920

aod66919推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

aod66919參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�2,500 : �5.66322卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)22A(Ta),70A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)6.5 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.6V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)66 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3420 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.2W(Ta),156W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TO-252(DPAK�
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線(xiàn) + 接片),SC-63