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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > AON3419

AON3419 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:25:07 查看 閱讀�31

AON3419是一款由Alpha & Omega Semiconductor(萬代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載切換應(yīng)�。其封裝形式為SOT-23,適合用于空間受限的�(shè)計場��
  這款MOSFET的主要特點在于其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,在典型工作條件下能夠顯著降低功耗并提升效率。此�,AON3419還具備出色的熱性能和可靠�,能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運��

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.5A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�65mΩ(在Vgs=4.5V時)
  總功�(Ptot)�450mW
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +150�
  封裝類型:SOT-23

特�

AON3419的核心優(yōu)勢在于其低導(dǎo)通電阻和高效率表�(xiàn)。它�4.5V的柵極驅(qū)動電壓下可實�(xiàn)�65mΩ的導(dǎo)通電阻,從而減少了傳導(dǎo)損�,并提升了系�(tǒng)整體效率�
  此外,由于采用了SOT-23小型封裝,AON3419非常適合需要緊湊設(shè)計的�(yīng)用場合。它的快速開�(guān)特性和低電荷性能也使其成為高頻電源管理的理想選擇�
  AON3419還具備優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),確保了器件在�(fù)雜環(huán)境中的可靠運��
  以下是具體特性:
  - 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),�(yōu)化了功率效率�
  - 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
  - 支持高達(dá)30V的工作電�,滿足多種應(yīng)用場景需求�
  - 良好的熱性能和電氣穩(wěn)定�,保證長期使用中的可靠性�

�(yīng)�

AON3419廣泛�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,尤其是在需要高效功率轉(zhuǎn)換或�(fù)載切換的�(lǐng)�。以下是一些典型應(yīng)用:
  - 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備的電池管理電路�
  - 筆記本電腦及外設(shè)的電源管理系�(tǒng)�
  - 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器�
  - LED�(qū)動器中的開關(guān)元件�
  - 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  - 電機�(qū)動和音頻放大器中的功率級組件�

替代型號

AO3419, FDN340P, BSS138

aon3419推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aon3419�(chǎn)�

aon3419參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格3,000 : �1.25502卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)10A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)19 毫歐 @ 10A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)30 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)1040 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�3x3�
  • 封裝/外殼8-SMD,扁平引�