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AON6162 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 0:24:25 查看 閱讀:27

AON6162是來自Alpha & Omega Semiconductor(萬代半導(dǎo)體)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用超小型DFN2020-6封裝形式。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度而聞名,適合于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。AON6162通常用于便攜式設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及計(jì)算機(jī)外設(shè)中,以實(shí)現(xiàn)高效的DC-DC轉(zhuǎn)換、負(fù)載切換及電池管理等功能。
  AON6162在設(shè)計(jì)上注重降低功耗和提升效率,其低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使得該器件在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)具備良好的熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:4.5A
  導(dǎo)通電阻:7mΩ(典型值,在Vgs=4.5V時(shí))
  柵極電荷:9nC(典型值)
  輸入電容:310pF(典型值)
  總電容:380pF(典型值)
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃

特性

AON6162具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗。
  2. 小型化封裝(DFN2020-6),有助于節(jié)省PCB空間。
  3. 高開關(guān)速度,適合要求快速動態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場景。
  4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,可確保器件在高溫環(huán)境下正常工作。
  5. 寬泛的工作溫度范圍,適用于各種惡劣環(huán)境條件下的電子設(shè)備。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

AON6162廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流功能。
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
  3. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
  4. 電池供電設(shè)備的保護(hù)與充電管理。
  5. 計(jì)算機(jī)外設(shè)中的高效功率傳輸。
  6. 工業(yè)自動化系統(tǒng)中的信號切換與驅(qū)動控制。

替代型號

AON6158, AON6159, AON6163

aon6162推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aon6162參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格3,000 : ¥10.68300卷帶(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)2.1 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4850 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)215W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼8-PowerSMD,扁平引線