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AON6162 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 0:24:25 查看 閱讀�27

AON6162是來自Alpha & Omega Semiconductor(萬代半�(dǎo)體)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用超小型DFN2020-6封裝形式。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度而聞�,適合于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場景。AON6162通常用于便攜式設(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及計(jì)算機(jī)外設(shè)�,以�(shí)�(xiàn)高效的DC-DC�(zhuǎn)�、負(fù)載切換及電池管理等功��
  AON6162在設(shè)�(jì)上注重降低功耗和提升效率,其低的�(dǎo)通電阻(Rds(on))使得該器件在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  �(dǎo)通電阻:7mΩ(典型�,在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�9nC(典型值)
  輸入電容�310pF(典型值)
  總電容:380pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

AON6162具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗�
  2. 小型化封裝(DFN2020-6�,有助于節(jié)省PCB空間�
  3. 高開�(guān)速度,適合要求快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,可確保器件在高溫環(huán)境下正常工作�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適用于各種惡劣�(huán)境條件下的電子設(shè)備�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

AON6162廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
  2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  3. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)控制�
  4. 電池供電�(shè)備的保護(hù)與充電管��
  5. �(jì)算機(jī)外設(shè)中的高效功率傳輸�
  6. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的信號切換與驅(qū)動控制�

替代型號

AON6158, AON6159, AON6163

aon6162推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

aon6162參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �10.68300卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.1 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)100 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4850 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)215W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN�5x6�
  • 封裝/外殼8-PowerSMD,扁平引�