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AON6262E 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 21:36:02 查看 閱讀:10

AON6262E是由Alpha and Omega Semiconductor(萬代半導(dǎo)體)推出的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,旨在提供高效率和低導(dǎo)通電阻的性能,適合于多種開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為SOT-23,體積小巧,便于在緊湊設(shè)計中使用。
  AON6262E的主要特點是低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性,非常適合用于消費類電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域。

參數(shù)

型號:AON6262E
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極電壓):30V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):140mΩ(@ VGS=4.5V)
  IDS(連續(xù)漏電流):2.9A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  功耗:0.4W
  封裝:SOT-23
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃

特性

AON6262E是一款高性能的N溝道MOSFET,具有以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),能夠有效降低功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度,確保在高頻應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。
  3. 小巧的SOT-23封裝,適用于空間受限的設(shè)計場景。
  4. 較寬的工作溫度范圍,可滿足嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求。
  5. 高可靠性與穩(wěn)定性,保證長期運行的耐用性。
  這些特性使AON6262E成為眾多便攜式設(shè)備、電池管理系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)以及其他低功率應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

AON6262E廣泛應(yīng)用于各種電子電路中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)和電源管理模塊。
  2. 手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源分配網(wǎng)絡(luò)。
  3. 電池保護電路及充電管理方案。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換和小型電機驅(qū)動。
  5. LED照明驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。
  由于其低導(dǎo)通電阻和小尺寸的優(yōu)勢,AON6262E特別適合需要高效能和節(jié)省空間的應(yīng)用場景。

替代型號

AON6208A
  AON6212A
  AON6237E

aon6262e推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aon6262e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量21,998現(xiàn)貨
  • 價格1 : ¥8.98000剪切帶(CT)3,000 : ¥3.79807卷帶(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)60 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)6.2 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)45 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)1650 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)48W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼8-PowerSMD,扁平引線