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AONH36328 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 21:01:01 查看 閱讀:18

AONH36328 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(萬代半導(dǎo)體)生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適用于多種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式為 LFPAK56E(PowerSO-8),適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠滿足緊湊型設(shè)計需求。
  AONH36328 的工作電壓范圍寬廣,可承受高達 40V 的漏源極電壓,并且在典型工況下具備非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))。這些特性使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電池管理以及電機驅(qū)動等應(yīng)用場景。

參數(shù)

最大漏源極電壓(V_DS):40V
  連續(xù)漏極電流(I_D):19.7A
  導(dǎo)通電阻(R_ds(on)):1.6mΩ(典型值,在 V_GS=10V 時)
  柵極電荷(Q_g):32nC(典型值)
  輸入電容(C_iss):1150pF(典型值)
  總熱阻(θ_JA):40℃/W
  工作溫度范圍(T_j):-55℃ 至 +175℃

特性

AONH36328 具有以下顯著特點:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。
  2. 高額定電流能力,允許其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
  3. 快速開關(guān)性能,得益于較小的柵極電荷 Q_g 和較低的輸入電容 C_iss,可以減少開關(guān)損耗。
  4. 寬泛的工作電壓范圍,確保其適應(yīng)多種電路條件。
  5. 小巧的 LFPAK56E 封裝形式,適合高密度電路板布局。
  6. 工作溫度范圍廣泛,支持高溫環(huán)境下的可靠運行。

應(yīng)用

AONH36328 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開關(guān)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器,如降壓或升壓拓撲結(jié)構(gòu)中的功率級開關(guān)。
  3. 負載開關(guān)和保護電路,例如在移動設(shè)備和筆記本電腦中的動態(tài)電源管理。
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用于電動工具、電動車和 UPS 等應(yīng)用。
  5. 電機驅(qū)動,包括無刷直流電機(BLDC)控制和小型電機調(diào)速。
  6. 各類工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。

替代型號

AONH36327, AONH36329

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aonh36328參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格5,000 : ¥2.09749卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 配置2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET 功能標準
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)13.8A(Ta),18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)8.5 毫歐 @ 20A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)700pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2.5W(Ta),23W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼8-WDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN-EP(3x3)