AONR21311C 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(萬(wàn)代半�(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用超薄封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�,如�(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式設(shè)備的功率控制�。其出色的性能和緊湊的�(shè)�(jì)使其成為高效能電路設(shè)�(jì)的理想選��
該器件的最大額定電壓為 30V,并能夠在較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓下實(shí)�(xiàn)高效的導(dǎo)通狀�(tài)�
最大漏源電� Vds�30V
最大柵源電� Vgs:�8V
連續(xù)漏極電流 Id�4.7A(在 Tc=25℃條件下�
�(dǎo)通電� Rds(on)�9mΩ(在 Vgs=4.5V 條件下)
柵極電荷 Qg�6nC
總電� Ciss�1150pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
AONR21311C 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低�(dǎo)通損耗并提升效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. 支持低至 1.8V 的柵極驅(qū)�(dòng)電壓,適合電池供電系�(tǒng)�
4. 高電流承載能�,滿足大功率需��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì)(DFN1010-2),節(jié)� PCB 空間�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝�
這些特性使� AONR21311C 成為各種消費(fèi)�(lèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中的理想功率開(kāi)�(guān)元件�
AONR21311C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路中的功率�(kāi)�(guān)�
3. USB 充電器和適配器中的同步整流電��
4. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)� LED �(qū)�(dòng)電路�
5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和低功耗的�(chǎng)��
AONR21311C 的高性能和小型化特點(diǎn)使其非常適合空間受限但對(duì)效率要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景�
AONR21310C, AONR21312C