AONR32318是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
該器件的工作電壓范圍較廣,最大漏源極電壓�30V,同�(shí)具備�(yōu)秀的靜�(tài)和動(dòng)�(tài)性能。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使其非常適合于空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合�
型號(hào):AONR32318
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極耐壓):30V
RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)�5.9mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
IDS(連續(xù)漏極電流):60A
VGS(柵源極電壓):±20V
Qg(柵極電荷)�34nC(典型值)
EAS(雪崩能量)�78mJ
封裝形式:TO-263-3/DPak (SMD)
工作溫度范圍�-55°C to 150°C
AONR32318采用了邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),使得在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下仍能實(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作。其超低的導(dǎo)通電阻顯著減少了傳導(dǎo)損�,從而提升了系統(tǒng)效率�
此外,這款MOSFET還具備快速開(kāi)�(guān)能力和較低的柵極電荷,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提升高頻�(yīng)用中的表�(xiàn)�
它還具有出色的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)�。由于采用了�(wú)鉛封裝和符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)的材料,AONR32318也滿足環(huán)保要��
AONR32318廣泛�(yīng)用于多種需要高效功率管理的�(chǎng)景,包括但不限于�
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
- 電池保護(hù)和負(fù)載開(kāi)�(guān)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
- 汽車電子中的DC-DC�(zhuǎn)換模�
- 筆記本電�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理
AO3231N
AON32318
IRLZ44N