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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AONR32318

AONR32318 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 15:33:50 查看 閱讀�19

AONR32318是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于各種功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
  該器件的工作電壓范圍較廣,最大漏源極電壓�30V,同�(shí)具備�(yōu)秀的靜�(tài)和動(dòng)�(tài)性能。其小型化的封裝�(shè)�(jì)使其非常適合于空間受限的�(yīng)用場(chǎng)合�

參數(shù)

型號(hào):AONR32318
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源極耐壓):30V
  RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)�5.9mΩ(典型�,在VGS=10V�(shí)�
  IDS(連續(xù)漏極電流):60A
  VGS(柵源極電壓):±20V
  Qg(柵極電荷)�34nC(典型值)
  EAS(雪崩能量)�78mJ
  封裝形式:TO-263-3/DPak (SMD)
  工作溫度范圍�-55°C to 150°C

特�

AONR32318采用了邏輯電平驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),使得在較低的柵極驅(qū)�(dòng)電壓下仍能實(shí)�(xiàn)高效的開(kāi)�(guān)操作。其超低的導(dǎo)通電阻顯著減少了傳導(dǎo)損�,從而提升了系統(tǒng)效率�
  此外,這款MOSFET還具備快速開(kāi)�(guān)能力和較低的柵極電荷,有助于減少�(kāi)�(guān)損耗并提升高頻�(yīng)用中的表�(xiàn)�
  它還具有出色的熱�(wěn)定性和耐用�,能夠在惡劣�(huán)境下可靠�(yùn)�。由于采用了�(wú)鉛封裝和符合RoHS�(biāo)�(zhǔn)的材料,AONR32318也滿足環(huán)保要��

�(yīng)�

AONR32318廣泛�(yīng)用于多種需要高效功率管理的�(chǎng)景,包括但不限于�
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 電池保護(hù)和負(fù)載開(kāi)�(guān)
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控�
  - 汽車電子中的DC-DC�(zhuǎn)換模�
  - 筆記本電�、平板電腦和其他便攜式設(shè)備的電源管理

替代型號(hào)

AO3231N
  AON32318
  IRLZ44N

aonr32318推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aonr32318參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �3.09688卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)50A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.2 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)6360 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)56W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�3.3x3.3�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN