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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > AONR36326C

AONR36326C 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 10:24:01 查看 閱讀�38

AONR36326C是一款由Alpha & Omega Semiconductor(AOS)生�(chǎn)的N溝道邏輯電平增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,適用于各種高效能開關(guān)�(yīng)用場�。其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其成為電源管理、負(fù)載切換以及電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用的理想選擇�
  該器件的封裝形式為TO-252 (DPAK),能夠提供出色的散熱性能和可靠�。由于其較低的柵極電荷和輸入電容,AONR36326C能夠在高頻條件下保持高效率�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�40V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�16A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�9.5mΩ(在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg)�7nC
  輸入電容(Ciss)�1250pF
  總電�(Coss)�120pF
  輸出電容(Crss)�80pF
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�

特�

AONR36326C具有非常低的�(dǎo)通電阻Rds(on),這可以顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  該器件支持邏輯電平驅(qū)�,最低可�4.5V的柵極驅(qū)動電壓下開啟,從而簡化了電路�(shè)�(jì)并減少了外圍元件的需��
  它具備快速的開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并在高頻操作中維持高效��
  AONR36326C采用了堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),具有較高的雪崩能力和抗靜電能力(ESD),以確保在惡劣環(huán)境下的可靠運(yùn)��
  其緊湊的TO-252封裝也使得它非常適合空間受限的應(yīng)用場��

�(yīng)�

AONR36326C廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、降�/升壓�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電池管理系�(tǒng)(BMS)、LED�(qū)動器、電信電源以及工�(yè)控制中的電機(jī)�(qū)動等。此外,它還可以用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和充電解決方案�
  由于其高效的開關(guān)特性和�(wěn)健的�(shè)�(jì),該器件特別適合于需要高性能和高可靠性的�(yīng)用場��

替代型號

AONR36326L, AONR36326G

aonr36326c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aonr36326c參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格5,000 : �1.22247卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)12A(Ta��12A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)9.8 毫歐 @ 12A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)15 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)540 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)3.1W(Ta),20.5W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�3x3�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN