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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AONR66922

AONR66922 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/14 16:52:22 查看 閱讀�24

AONR66922 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(萬(wàn)�(guó)半導(dǎo)體)生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用了先�(jìn)� Trench 工藝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其封裝形式� LFPAK8 封裝,適合表面貼裝技�(shù) (SMT),能夠提供卓越的熱性能和電氣性能�
  AONR66922 的額定電壓為 60V,可廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及汽�(chē)電子等領(lǐng)�,特別是在需要高效功率管理的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�145A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.73mΩ
  柵極電荷�28nC
  總電容(輸入電容):4570pF
  工作溫度范圍�-55� to 175�
  封裝形式:LFPAK8

特�

AONR66922 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. 高電流處理能�,使其能夠承受較大的�(fù)載電��
  4. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 采用邏輯電平�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),可以直接由微控制器或數(shù)字信�(hào)處理器�(jìn)行驅(qū)�(dòng),簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛制造工藝�
  7. �(qiáng)大的散熱性能,確保在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定性�

�(yīng)�

AONR66922 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器�
   - �(kāi)�(guān)電源
   - 電池充電�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
   - �(wú)刷直流電�(jī) (BLDC)
   - 步�(jìn)電機(jī)
  3. 電源管理�
   - 筆記本電腦適配器
   - 平板電腦和智能手�(jī)充電解決方案
  4. 汽車(chē)電子�
   - 電動(dòng)助力�(zhuǎn)� (EPS)
   - �(fā)�(dòng)�(jī)控制單元 (ECU)
   - 照明系統(tǒng)� LED �(qū)�(dòng)
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:
   - 可編程邏輯控制器 (PLC)
   - 工業(yè)逆變�
  6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:
   - 家用電器如空�(diào)、冰箱等
   - 音頻放大�

替代型號(hào)

AONR66920, AONR66921

aonr66922推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

aonr66922參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�33,697�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �11.45000剪切帶(CT�3,000 : �4.84984卷帶(TR�
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET �(lèi)�N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)15A(Ta),50A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)9 毫歐 @ 15A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)46 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)2180 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)4.1W(Ta��52W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-DFN-EP�3.3x3.3�
  • 封裝/外殼8-PowerWDFN