AONS65625 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生產(chǎn)的 N 溝道 MOSFET,采用超小型芯片級(jí)封裝(CSP)。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),廣泛適用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及便攜式電子產(chǎn)品中。其優(yōu)異的性能使其成為電池管理、負(fù)載開關(guān)和同步整流等應(yīng)用的理想選擇。
該器件通過優(yōu)化的制造工藝實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),同時(shí)保持了較小的封裝尺寸,從而在功率密度和熱性能方面提供了顯著優(yōu)勢(shì)。AONS65625 的工作電壓范圍支持高達(dá) 30V 的連續(xù)漏極電壓,并具有快速開關(guān)特性和較低的柵極電荷 Qg,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流:17A
導(dǎo)通電阻 Rds(on):1.4mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
柵極電荷 Qg:9nC(典型值)
輸入電容 Ciss:180pF(典型值)
反向傳輸電容 Crss:14pF(典型值)
總電容 Coss:36pF(典型值)
工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +150°C
封裝類型:WCSP1-0.85P
AONS65625 的主要特性包括:
- 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可有效降低傳導(dǎo)損耗。
- 小型化封裝,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
- 快速開關(guān)能力,得益于較低的柵極電荷 Qg 和寄生電容。
- 高電流承載能力,支持高達(dá) 17A 的連續(xù)漏極電流。
- 寬工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),滿足環(huán)保要求。
- 支持高效電源轉(zhuǎn)換和負(fù)載切換需求。
這些特性使 AONS65625 成為需要高性能和緊湊設(shè)計(jì)的電路的理想選擇。
AONS65625 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
- 移動(dòng)設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
- USB-PD(Power Delivery)適配器及充電器中的功率路徑管理。
- 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
- 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和充放電控制。
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換。
- 同步整流電路以提高效率。
- 電信設(shè)備中的電源分配網(wǎng)絡(luò)。
由于其低導(dǎo)通電阻和小封裝尺寸,AONS65625 特別適合需要高效能和節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。
AONR65625, IRF7843, FDN340P