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AONS66917 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 18:23:33 查看 閱讀：8

AONS66917是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，旨在為電源管理應(yīng)用提供高效、可靠的性能。AONS66917適用于各種消費(fèi)電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制中的功率轉(zhuǎn)換電路。
　　AONS66917的封裝形式為SOT-23-3L，具有小尺寸和高效率的特點(diǎn)，適合空間受限的設(shè)計(jì)。其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）和優(yōu)化的開(kāi)關(guān)特性使其成為電池管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：4.5A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：55mΩ（典型值，Vgs=4.5V時(shí)）
　　柵極電荷：1.8nC（典型值）
　　總功耗：480mW
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

AONS66917具備以下關(guān)鍵特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，支持高頻操作，有助于減小外部元件體積。
　　3. 小型SOT-23-3L封裝，節(jié)省PCB面積，非常適合便攜式設(shè)備。
　　4. 寬工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的可靠性。
　　5. 穩(wěn)定的電氣性能，能夠承受瞬態(tài)電壓和電流沖擊。

應(yīng)用

AONS66917廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電池保護(hù)和充電管理電路。
　　2. 手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　3. DC-DC轉(zhuǎn)換器和多相PWM控制器中的同步整流。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離和功率驅(qū)動(dòng)。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)器和小型電機(jī)控制電路。

替代型號(hào)

AO3400
　　IRLML6401
　　FDMQ8207

aons66917推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

aons66917參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格3,000 : ￥14.94184卷帶（TR）
  • 系列AlphaSGT?
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）100 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)100A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）3.5 毫歐 @ 20A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）115 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）5940 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）6.2W（Ta），215W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝8-DFN（5x6）
  • 封裝/外殼8-PowerSMD，扁平引線