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AONS66917T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/22 0:27:43 查看 閱讀:18

AONS66917T 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(萬(wàn)代半導(dǎo)體)生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能。AONS66917T 通常用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景中,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其封裝形式為 LFPAK88-8,適合表面貼裝技術(shù) (SMT),從而節(jié)省空間并提高散熱效率。
  這款 MOSFET 的主要特點(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提升整體系統(tǒng)效率。此外,AONS66917T 還具備較高的雪崩擊穿能力,能夠在異常情況下提供額外的保護(hù)。

參數(shù)

型號(hào):AONS66917T
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:LFPAK88-8
  Vds(漏源電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):2.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 和 Id=71A 時(shí))
  Id(連續(xù)漏電流):71A
  Vgs(柵源電壓):±20V
  功耗:25W(最大值,在 Ta=25°C 時(shí))
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝類型:表面貼裝
  邏輯電平觸發(fā):支持

特性

AONS66917T 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使得其非常適合用于高效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,減少能量損失。
  2. 高額定電流(71A)使其能夠承受較大的負(fù)載需求。
  3. 小型化封裝(LFPAK88-8)節(jié)省了電路板的空間,并且提高了散熱性能。
  4. 工作溫度范圍寬廣(-55°C 至 +175°C),適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
  5. 高速開(kāi)關(guān)性能減少了開(kāi)關(guān)損耗,進(jìn)一步提升了效率。
  6. 具備良好的抗 ESD 能力和雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了器件的可靠性。
  這些特點(diǎn)使得 AONS66917T 成為眾多功率電子應(yīng)用中的理想選擇,特別是在要求高效率和小尺寸的設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

AONS66917T 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:作為主功率開(kāi)關(guān)或同步整流器,用于提高效率。
  2. 負(fù)載開(kāi)關(guān):在便攜式設(shè)備中用作電源管理元件。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制小型直流電機(jī)或無(wú)刷電機(jī)。
  4. 電池管理系統(tǒng):實(shí)現(xiàn)對(duì)電池充放電過(guò)程的精確控制。
  5. 可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:由于其低導(dǎo)通電阻和小型封裝,特別適合用于這些對(duì)空間和效率要求較高的應(yīng)用。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:用于各種工業(yè)控制和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
  總之,AONS66917T 憑借其卓越的性能,成為許多現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵組件。

替代型號(hào)

AONS66916T, AONS66918T

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