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時(shí)間：2025/5/26 16:24:55
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AONX38168是一款由Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的高性能、低導(dǎo)通電阻的N溝道MOSFET。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，旨在為各種電源管理應(yīng)用提供卓越的效率和可靠性。AONX38168適用于高頻開關(guān)和負(fù)載切換場(chǎng)景，其超低的導(dǎo)通電阻可顯著降低功耗，提高系統(tǒng)整體性能。
AONX38168的主要特點(diǎn)是其優(yōu)化的柵極電荷和導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，使其在高電流和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。此外，它具有出色的熱特性和魯棒性，確保在嚴(yán)苛的工作條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào)：AONX38168
類型：N-Channel MOSFET
封裝：LFPAK56(D2PAK)
Vds（漏源極電壓）：60V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（連續(xù)漏極電流）：75A
Qg（總柵極電荷）：37nC
EAS（雪崩能量）：11.9mJ
fT（特征頻率）：1.3MHz
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：2.2V~4V
AONX38168具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)，支持高頻工作，適合DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
3. 高電流承載能力，能夠處理高達(dá)75A的連續(xù)漏極電流。
4. 封裝形式緊湊且散熱性能優(yōu)越，適合高功率密度設(shè)計(jì)。
5. 提供了強(qiáng)大的短路耐受能力和魯棒性，確保器件在異常情況下仍能安全運(yùn)行。
6. 工作溫度范圍廣（-55°C至+175°C），適用于多種環(huán)境條件。
AONX38168廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開關(guān)功能。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件。
3. 電動(dòng)車輛和工業(yè)設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)開關(guān)。
5. 太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 通信電源、服務(wù)器電源和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效功率管理方案。
AONP38168, AOXM38168
