時間：2025/5/20 11:21:25
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AOSD21313C 是一款高性能的 N 溝道增強型 MOSFET，由 Alpha and Omega Semiconductor (AOS) 生產(chǎn)。該器件采用先進的制程技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適合在高頻應用中使用。
其封裝形式為 TO-263-3，適用于功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載切換和其他功率管理場景。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：47A
導通電阻：1.8mΩ
柵極電荷：55nC
總電容：2550pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 175℃
AOSD21313C 的主要特性包括低導通電阻，能夠顯著降低傳導損耗，提高效率；具備快速開關(guān)能力，適合高頻應用；高雪崩能量能力使其能夠在嚴苛條件下可靠運行；同時擁有強大的散熱性能和穩(wěn)定性，可承受較寬的工作溫度范圍。
此外，它還支持超低的 Qg 和 Coss，從而優(yōu)化了動態(tài)性能，并且采用了堅固耐用的封裝設(shè)計以確保長期可靠性。
這款 MOSFET 廣泛應用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、降壓/升壓轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、電機驅(qū)動器、電池保護電路、工業(yè)電源以及汽車電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。
由于其出色的性能表現(xiàn)，AOSD21313C 成為了許多高效率、高密度功率轉(zhuǎn)換設(shè)計的理想選擇。
AOND21313C, IRFZ44N, FDP55N06L
