AOSD26313C是一款由Alpha and Omega Semiconductor(萬代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的MOSFET器件,屬于超低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET。它采用先�(jìn)的工藝制�,適用于高效率、高密度的開�(guān)電源�(shè)計和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,并且支持高頻工作條��
該MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,封裝形式為SOT-23-3L,適合空間受限的�(yīng)用場�。由于其出色的性能表現(xiàn),AOSD26313C廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域�
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.9A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷(Qg)�3.7nC
總電�(Ciss)�120pF
反向傳輸電容(Crss)�3.3pF
功�(PD)�1.4W(TA=25℃)
工作溫度范圍(Topr)�-55� to +150�
AOSD26313C的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電�,可�(shí)�(xiàn)更低的傳�(dǎo)損耗和更高的系�(tǒng)效率�
2. 小巧的SOT-23-3L封裝,非常適合便攜式和空間受限的�(yīng)��
3. 支持高頻開關(guān)操作,適合DC-DC�(zhuǎn)換器、降壓電路以及其他高速開�(guān)�(yīng)用場景�
4. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
5. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
AOSD26313C的設(shè)計使其成為高性能、小體積�(yīng)用的理想選擇�
AOSD26313C廣泛用于以下�(yīng)用場景:
1. 消費(fèi)電子中的�(fù)載開�(guān)和電源管理模��
2. 移動�(shè)備和便攜式設(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 工業(yè)自動化控制中的信號切換�
4. 計算�(jī)外設(shè)和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管��
5. LED�(qū)動器中的開關(guān)元件�
6. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
由于其高效的性能和緊湊的封裝形式,這款MOSFET特別適合需要小型化和高性能的場��
AOD26313C, AOZD26313C