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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > AOSD26313C

AOSD26313C 發(fā)布時間 時間�2025/5/22 22:50:04 查看 閱讀�25

AOSD26313C是一款由Alpha and Omega Semiconductor(萬代半�(dǎo)體)生產(chǎn)的MOSFET器件,屬于超低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET。它采用先�(jìn)的工藝制�,適用于高效率、高密度的開�(guān)電源�(shè)計和�(fù)載開�(guān)�(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損�,并且支持高頻工作條��
  該MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,封裝形式為SOT-23-3L,適合空間受限的�(yīng)用場�。由于其出色的性能表現(xiàn),AOSD26313C廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�8V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.9A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�75mΩ(在Vgs=4.5V時)
  柵極電荷(Qg)�3.7nC
  總電�(Ciss)�120pF
  反向傳輸電容(Crss)�3.3pF
  功�(PD)�1.4W(TA=25℃)
  工作溫度范圍(Topr)�-55� to +150�

特�

AOSD26313C的主要特性包括:
  1. 超低�(dǎo)通電�,可�(shí)�(xiàn)更低的傳�(dǎo)損耗和更高的系�(tǒng)效率�
  2. 小巧的SOT-23-3L封裝,非常適合便攜式和空間受限的�(yīng)��
  3. 支持高頻開關(guān)操作,適合DC-DC�(zhuǎn)換器、降壓電路以及其他高速開�(guān)�(yīng)用場景�
  4. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)正常�(yùn)��
  5. 高雪崩擊穿能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  AOSD26313C的設(shè)計使其成為高性能、小體積�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

AOSD26313C廣泛用于以下�(yīng)用場景:
  1. 消費(fèi)電子中的�(fù)載開�(guān)和電源管理模��
  2. 移動�(shè)備和便攜式設(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 工業(yè)自動化控制中的信號切換�
  4. 計算�(jī)外設(shè)和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的電源管��
  5. LED�(qū)動器中的開關(guān)元件�
  6. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)�
  由于其高效的性能和緊湊的封裝形式,這款MOSFET特別適合需要小型化和高性能的場��

替代型號

AOD26313C, AOZD26313C

aosd26313c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

aosd26313c參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格3,000 : �1.37146卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置N � P 溝道互補(bǔ)�
  • FET 功能-
  • 漏源電壓(Vdss�30V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)7A(Ta��5.7A(Ta�
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)20 毫歐 @ 7A�10V�32 毫歐 @ 5.7A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)2.3V @ 250μA�2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)20nC @ 10V�33nC @ 10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)600pF @ 15V�1100pF @ 15V
  • 功率 - 最大�1.7W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOIC