AOZ9012DI是來自Alpha and Omega Semiconductor(AOS)的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。其封裝形式為DFN5x6-8L,這種小型化封裝有助于節(jié)省PCB空間,同時提供良好的散熱性能�
該MOSFET的電壓范圍為30V,適用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)�(yīng)用中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器和電池管理等場合�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.4mΩ
柵極電荷�9nC
總電容:1750pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 150�
AOZ9012DI是一款專為高效率�(shè)計優(yōu)化的MOSFET,其主要特點包括�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流�(yīng)用中可以顯著降低功��
2. 高速開�(guān)性能,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用,例如同步整流和多相電��
3. 小型DFN5x6-8L封裝不僅減少了PCB占用面積,還通過裸露焊盤提供了優(yōu)異的熱傳�(dǎo)性能�
4. 具備良好的雪崩能力和耐用�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運行�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求�
AOZ9012DI適用于以下應(yīng)用場景:
1. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,尤其是對效率要求較高的降壓�(zhuǎn)換器�
2. 筆記本電腦和智能手機(jī)的充電管理電路�
3. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他存儲�(shè)備中的電源管��
4. �(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)動控��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級管理�
由于其低�(dǎo)通電阻和高性能,AOZ9012DI在任何需要高效功率傳�?shù)牡胤蕉寄鼙憩F(xiàn)出色�
AOZ9012QI, AOZ9012DG1