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AP0100AT2L00XUGA0-DR 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 15:27:51 查看 閱讀：7

AP0100AT2L00XUGA0-DR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特性。其封裝形式為 UGA (Ultra GA)，能夠滿足緊湊型設(shè)計(jì)的需求，并廣泛適用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。

參數(shù)

類型：MOSFET
　　極性：N-Channel
　　漏源電壓(Vds)：60V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：100A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.4mΩ
　　柵極電荷(Qg)：37nC
　　開關(guān)頻率：高達(dá) 1MHz
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：UGA

特性

AP0100AT2L00XUGA0-DR 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以有效降低功耗并提升效率。
　　2. 高額定電流能力（Id=100A），適合大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開關(guān)性能，支持高頻操作，有助于減少磁性元件體積。
　　4. 強(qiáng)大的散熱能力，能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 小型化封裝（UGA），節(jié)省印刷電路板空間。
　　6. 提供優(yōu)異的靜電防護(hù)能力（ESD Protection），增強(qiáng)器件可靠性。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要應(yīng)用于需要高效能與高可靠性的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（Switching Power Supplies）中的同步整流。
　　2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器的核心開關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
　　5. 電動(dòng)汽車（EV）及混合動(dòng)力汽車（HEV）的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
　　6. 通信基站的電源模塊。

替代型號(hào)

AP0100AT2L00XPGA0-DR, IRF1404, FDP150N06L

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ap0100at2l00xuga0-dr參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量2,550現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥114.64000托盤
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 功能處理器
  • 應(yīng)用專業(yè)視頻
  • 標(biāo)準(zhǔn)NTSC，PAL
  • 控制接口-
  • 電壓 - 供電-
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼100-VFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝100-VFBGA（7x7）