AP50N03是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用小型化的SOT-23封裝,適用于空間受限的設(shè)�(jì)。其低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性使其成為便攜式電子�(shè)�、電源管理電路以及信�(hào)切換�(yīng)用的理想選擇�
該MOSFET的最大工作電壓為30V,具有較低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效減少功率損耗,提高效率。同�(shí),其高雪崩擊穿能力提升了在異常情況下的可靠��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±12V
連續(xù)漏極電流�1.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.6Ω(典型�,Vgs=10V�(shí)�
總功耗:400mW(Tc=25℃)
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
AP50N03具有以下主要特性:
1. 低導(dǎo)通電�,減少傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
4. 小型SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 寬溫度范�,適合各種環(huán)境條件下的應(yīng)用�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
該MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的初�(jí)或次�(jí)�(kāi)�(guān)�
2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
4. 便攜式電子設(shè)備的電源管理�
5. �(shù)�(jù)通信接口保護(hù)電路�
6. 信號(hào)切換與隔離電��
AO3400
SI2302DS
NTLSD2P02Z