APT20M11JVR 是一款基于安森美(ON Semiconductor)技�(shù)平臺(tái)的高效率、高性能 MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特性,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域�
其封裝形式為 TO-252(DPAK�,具備出色的散熱性能和堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),非常適合要求高效能與可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��
型號(hào):APT20M11JVR
類型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源電壓)�100V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�45mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):20A
Qg(總柵極電荷):30nC
EAS(雪崩能量)�76mJ
封裝:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
APT20M11JVR 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。其 45mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提升了系統(tǒng)效率。同�(shí),該器件的柵極電荷較�,有助于減少開關(guān)損�,并支持高頻操作�
此外,APT20M11JVR 具有�(qiáng)大的雪崩能力�76mJ�,在過載或短路條件下能夠提供額外的保�(hù)。其緊湊且優(yōu)化的 DPAK 封裝也使得它能夠在有限的空間�(nèi)�(shí)�(xiàn)良好的散熱性能�
該器件還具備以下�(yōu)�(shì)�
- 極低� Rds(on),降低功率損�
- 高速開�(guān)性能
- �(qiáng)大的雪崩� ruggedness 特�
- 工作溫度范圍廣,適用于惡劣環(huán)�
- 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)
APT20M11JVR 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性功率開�(guān)的場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC-DC �(zhuǎn)換器
- 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
- 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替�
- 工業(yè)自動(dòng)化中的功率調(diào)節(jié)模塊
由于其出色的電氣特性和散熱能力,APT20M11JVR 在各類工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
APT20M12SMDT,
IRFZ44N,
FDP5800,
STP20NF10,
IXFN20N10T,
AONR20110,
BUK7Y0R2-100E