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APT20M11JVR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 16:50:55 查看 閱讀�19

APT20M11JVR 是一款基于安森美(ON Semiconductor)技�(shù)平臺(tái)的高效率、高性能 MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和�(yōu)異的開關(guān)特性,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域�
  其封裝形式為 TO-252(DPAK�,具備出色的散熱性能和堅(jiān)固耐用的設(shè)�(jì),非常適合要求高效能與可靠性的工業(yè)及消�(fèi)類電子應(yīng)��

參數(shù)

型號(hào):APT20M11JVR
  類型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓)�100V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�45mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):20A
  Qg(總柵極電荷):30nC
  EAS(雪崩能量)�76mJ
  封裝:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

APT20M11JVR 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能。其 45mΩ 的典型導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損�,從而提升了系統(tǒng)效率。同�(shí),該器件的柵極電荷較�,有助于減少開關(guān)損�,并支持高頻操作�
  此外,APT20M11JVR 具有�(qiáng)大的雪崩能力�76mJ�,在過載或短路條件下能夠提供額外的保�(hù)。其緊湊且優(yōu)化的 DPAK 封裝也使得它能夠在有限的空間�(nèi)�(shí)�(xiàn)良好的散熱性能�
  該器件還具備以下�(yōu)�(shì)�
  - 極低� Rds(on),降低功率損�
  - 高速開�(guān)性能
  - �(qiáng)大的雪崩� ruggedness 特�
  - 工作溫度范圍廣,適用于惡劣環(huán)�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)

�(yīng)�

APT20M11JVR 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高可靠性功率開�(guān)的場(chǎng)景中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)控制與驅(qū)�(dòng)
  - 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  - 便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)
  - 汽車電子系統(tǒng)中的繼電器替�
  - 工業(yè)自動(dòng)化中的功率調(diào)節(jié)模塊
  由于其出色的電氣特性和散熱能力,APT20M11JVR 在各類工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

APT20M12SMDT,
  IRFZ44N,
  FDP5800,
  STP20NF10,
  IXFN20N10T,
  AONR20110,
  BUK7Y0R2-100E

apt20m11jvr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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apt20m11jvr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模�
  • 家庭FET
  • 系列POWER MOS V®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C175A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C11 毫歐 @ 500mA�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 5mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds21600pF @ 25V
  • 功率 - 最�700W
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOTOP?
  • 包裝管件