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APT50GN120B2G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/11/16 17:04:42 查看 閱讀�682

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:IGBT - 單路

    系列�-

    IGBT 類型:NPT、溝道和�(chǎng)截止

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�1200V

    Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開):2.1V @ 15V, 50A

 

目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:IGBT - 單路

    系列�-

    IGBT 類型:NPT、溝道和�(chǎng)截止

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�1200V

    Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開):2.1V @ 15V, 50A

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�134A

    功率 - 最大:543W

    輸入類型:標(biāo)�(zhǔn)�

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:T-MAX

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:T-MAX? [B2]

資料

廠商
Microsemi

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apt50gn120b2g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型NPT、溝道和�(chǎng)截止
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)1200V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2.1V @ 15V�50A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)134A
  • 功率 - 最�543W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3 變式
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�T-MAX? [B2]
  • 包裝管件