類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:POWER MOS 8
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�130 毫歐 @ 28A, 10V
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:POWER MOS 8
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�130 毫歐 @ 28A, 10V
漏極至源極電�(Vdss)�600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�56A
Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5V @ 2.5mA
閘電�(Qg) @ Vgs�280nC @ 10V
� Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �11300pF @ 25V
功率 - 最大:1040W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:T-MAX
包裝:管�
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-247 [B]
其它名稱:APT56M60B2MPAPT56M60B2MP-ND
廠商 |
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Microsemi |