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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > APT56M60B2

APT56M60B2 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/11/15 9:56:44 查看 閱讀�577

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:POWER MOS 8

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�130 毫歐 @ 28A, 10V



目錄

概述

    類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:MOSFET,GaNFET - �

    系列:POWER MOS 8

    FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 特點(diǎn):標(biāo)�(zhǔn)�

    開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C�130 毫歐 @ 28A, 10V

    漏極至源極電�(Vdss)�600V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C�56A

    Id �(shí)� Vgs(th)(最大)�5V @ 2.5mA

    閘電�(Qg) @ Vgs�280nC @ 10V

    � Vds �(shí)的輸入電�(Ciss) �11300pF @ 25V

    功率 - 最大:1040W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:T-MAX

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-247 [B]

    其它名稱:APT56M60B2MPAPT56M60B2MP-ND


資料

廠商
Microsemi

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apt56m60b2參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝30
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列POWER MOS 8™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C60A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫歐 @ 28A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs280nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11300pF @ 25V
  • 功率 - 最�1040W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3 變式
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247 [B]
  • 包裝管件
  • 其它名稱APT56M60B2MPAPT56M60B2MP-ND