ATZB-24-B0R 是一種基于氮化鎵(GaN)技術的高效能功率晶體管,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器和射頻放大器等場景。該器件采用增強型HEMT結構,具備極低的導通電阻和高開關速度,從而顯著提高了系統(tǒng)的效率和功率密度�
其封裝形式為行業(yè)標準的TO-263表面貼裝封裝,具有出色的散熱性能,適用于對空間和熱管理有嚴格要求的應用場��
最大漏源電壓:24V
連續(xù)漏極電流�15A
導通電阻:0.8mΩ
柵極電荷�35nC
開關頻率:超�5MHz
工作溫度范圍�-40℃至+150�
ATZB-24-B0R 具備以下突出特性:
1. 極低的導通電阻(0.8mΩ),可顯著降低傳導損��
2. 高開關頻率支持(>5MHz�,適合高頻應��
3. 增強型結構設�,確保僅在正柵極電壓下導�,增強了系統(tǒng)可靠��
4. 小尺寸TO-263封裝,優(yōu)化了PCB布局和熱管理�
5. 寬泛的工作溫度范圍(-40℃至+150℃),適應各種嚴苛環(huán)境條��
6. �(nèi)置ESD保護功能,提高器件魯棒��
ATZB-24-B0R 的典型應用場景包括:
1. 高效DC-DC轉換��
2. 小型化開關電源模塊�
3. 無線充電設備中的功率��
4. 射頻功率放大��
5. 工業(yè)自動化控制中的驅動電��
6. 電動汽車充電設備的核心功率元件�
ATZB-24-A0R, ATZB-24-C0R