AU0561BP是由Alpha & Omega Semiconductor生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種功率轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。它通常被用作高效能的功率開關(guān)元件。
該型號(hào)主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備領(lǐng)域,能夠提供優(yōu)異的性能表現(xiàn)。
最大漏源電壓(Vds):30V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):14A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ (典型值,在Vgs=10V時(shí))
柵極電荷(Qg):37nC (典型值)
總功耗(Ptot):39W
工作結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+150℃
封裝形式:TO-220FP
AU0561BP具有非常低的導(dǎo)通電阻,這使其在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)降低了導(dǎo)通損耗,提高了整體效率。
該MOSFET支持快速開關(guān)操作,適合高頻電路設(shè)計(jì)。其高電流承載能力保證了即使在重載條件下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
此外,該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性,并且能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持可靠性能。
AU0561BP的設(shè)計(jì)考慮到了電磁兼容性要求,減少了射頻干擾的可能性。這些特點(diǎn)使得它成為各種電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的理想選擇。
該MOSFET廣泛用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)模式電源(SMPS)、負(fù)載切換、電池保護(hù)電路以及電動(dòng)工具、家用電器和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電機(jī)控制等場景。由于其高效的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通損耗,特別適合需要高性能和節(jié)能的應(yīng)用場合。
IRFZ44N
STP14NF06L
FDP5570
IXYS GFDM014N03S