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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > AUIRF7739L2TR

AUIRF7739L2TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 11:28:40 查看 閱讀�27

AUIRF7739L2TR 是一款由安森美(ON Semiconductor)推出的N溝道功率MOSFET,采用TO-263-3L封裝形式。該器件主要用于汽車(chē)電子�(lǐng)域中的開(kāi)�(guān)和負(fù)載驅(qū)�(dòng)�(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代汽�(chē)電子系統(tǒng)�(duì)高效能和可靠性的要求�
  這款MOSFET適用于需要在高溫�(huán)境下工作的場(chǎng)�,并且其�(shè)�(jì)符合汽車(chē)行業(yè)�(yán)格的性能和可靠性標(biāo)�(zhǔn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�41A
  �(dǎo)通電阻:2.8mΩ
  柵極電荷�37nC
  總電容:2250pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

AUIRF7739L2TR 具有非常低的�(dǎo)通電阻(2.8mΩ�,可以有效降低功耗并提高效率。同�(shí),它的柵極電荷較小(37nC�,有助于�(shí)�(xiàn)更快的開(kāi)�(guān)速度和更少的能量損失�
  此外,這款器件支持高達(dá)175℃的工作溫度,非常適合用于惡劣環(huán)境下的汽�(chē)�(yīng)�。它的高擊穿電壓�60V)保證了在各種負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)�。器件還具有出色的熱�(wěn)定�,確保長(zhǎng)期使用中的可靠性和一致��
  AUIRF7739L2TR 的封裝形式為 TO-263-3L,這種封裝提供了良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)度,適合大功率應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

AUIRF7739L2TR 主要�(yīng)用于汽車(chē)電子系統(tǒng)�,例如電�(jī)控制、DC-DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)�(dòng)器以及電池管理系�(tǒng)�。由于其�(yōu)異的電氣特性和耐高溫能�,該器件也適用于其他工業(yè)�(lǐng)域的功率�(zhuǎn)換和控制電路�
  在電�(dòng)汽車(chē)(EV)和混合�(dòng)力汽�(chē)(HEV)中,這款MOSFET可用于牽引逆變�、車(chē)載充電器以及其他�(guān)鍵的功率管理模塊。此外,它還可以用作通用的功率開(kāi)�(guān)元件,在各類(lèi)消費(fèi)電子�(chǎn)品和工業(yè)�(shè)備中�(fā)揮重要作��

替代型號(hào)

IRF7739TR

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  • �(chǎn)品型�(hào)
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auirf7739l2tr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C375A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 毫歐 @ 160A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs330nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11880pF @ 25V
  • 功率 - 最�3.8W
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼DirectFET? 等距 L8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�DIRECTFET L8
  • 包裝帶卷 (TR)