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AUIRFB8405 發(fā)布時間 時間：2025/4/30 17:39:45 查看 閱讀：36

AUIRFB8405 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用先進的制造工藝設計，適用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器和負載開關等應用。該器件具有低導通電阻（Rds(on)）特性，可顯著降低功率損耗，并提供優(yōu)異的開關性能。其封裝形式為 LFPAK56E，適合表面貼裝技術（SMT），并具備良好的熱性能。

參數

最大漏源電壓：60V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：120A
　　導通電阻（Rds(on)）：1.2mΩ
　　柵極電荷：95nC
　　總電容：1350pF
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

AUIRFB8405 提供了極低的導通電阻，能夠有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　該器件具有出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行。
　　其高電流承載能力使其非常適合用于需要大電流輸出的應用場景。
　　封裝設計優(yōu)化了散熱性能，支持高效的功率轉換。
　　此外，該 MOSFET 具有快速開關速度，有助于降低開關損耗并提升整體性能。

應用

AUIRFB8405 廣泛應用于汽車電子領域，包括但不限于以下方面：
　　直流無刷電機驅動控制
　　車載充電系統(tǒng)中的功率轉換
　　DC-DC 轉換器和逆變器
　　高壓負載切換電路
　　LED 驅動器
　　其他高電流功率管理應用

替代型號

IRFB8405
　　Infineon BSC012N06NS
　　AON6816

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auirfb8405參數

  • 現有數量1,000現貨
  • 價格1 : ￥49.45000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包裝管件
  • 產品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）40 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)120A（Tc）
  • 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）2.5 毫歐 @ 100A，10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）3.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）161 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）5193 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）163W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封裝TO-220AB
  • 封裝/外殼TO-220-3