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AUIRFB8405 發(fā)布時間 時間:2025/4/30 17:39:45 查看 閱讀:36

AUIRFB8405 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用先進的制造工藝設計,適用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器和負載開關等應用。該器件具有低導通電阻(Rds(on))特性,可顯著降低功率損耗,并提供優(yōu)異的開關性能。其封裝形式為 LFPAK56E,適合表面貼裝技術(SMT),并具備良好的熱性能。

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流:120A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ
  柵極電荷:95nC
  總電容:1350pF
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

特性

AUIRFB8405 提供了極低的導通電阻,能夠有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
  該器件具有出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行。
  其高電流承載能力使其非常適合用于需要大電流輸出的應用場景。
  封裝設計優(yōu)化了散熱性能,支持高效的功率轉換。
  此外,該 MOSFET 具有快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升整體性能。

應用

AUIRFB8405 廣泛應用于汽車電子領域,包括但不限于以下方面:
  直流無刷電機驅動控制
  車載充電系統(tǒng)中的功率轉換
  DC-DC 轉換器和逆變器
  高壓負載切換電路
  LED 驅動器
  其他高電流功率管理應用

替代型號

IRFB8405
  Infineon BSC012N06NS
  AON6816

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auirfb8405參數

  • 現有數量1,000現貨
  • 價格1 : ¥49.45000管件
  • 系列HEXFET?
  • 包裝管件
  • 產品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)40 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)120A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)2.5 毫歐 @ 100A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)3.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)161 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)5193 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)163W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型通孔
  • 供應商器件封裝TO-220AB
  • 封裝/外殼TO-220-3