AUIRFB8405 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用先進的制造工藝設計,適用于高效率開關電源、DC-DC 轉換器和負載開關等應用。該器件具有低導通電阻(Rds(on))特性,可顯著降低功率損耗,并提供優(yōu)異的開關性能。其封裝形式為 LFPAK56E,適合表面貼裝技術(SMT),并具備良好的熱性能。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:120A
導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ
柵極電荷:95nC
總電容:1350pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
AUIRFB8405 提供了極低的導通電阻,能夠有效減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。
該器件具有出色的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行。
其高電流承載能力使其非常適合用于需要大電流輸出的應用場景。
封裝設計優(yōu)化了散熱性能,支持高效的功率轉換。
此外,該 MOSFET 具有快速開關速度,有助于降低開關損耗并提升整體性能。
AUIRFB8405 廣泛應用于汽車電子領域,包括但不限于以下方面:
直流無刷電機驅動控制
車載充電系統(tǒng)中的功率轉換
DC-DC 轉換器和逆變器
高壓負載切換電路
LED 驅動器
其他高電流功率管理應用
IRFB8405
Infineon BSC012N06NS
AON6816