AZC199-04S是一種高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為SOT-23,適合表面貼裝技�(shù)(SMT),能夠顯著提高電路板的空間利用率和可靠��
該芯片在中小功率�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,尤其是在需要高效能和低損耗的�(chǎng)合下。它支持較寬的工作電壓范�,并具備�(nèi)置的靜電防護(hù)功能,從而提升了整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�40V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�65mΩ(典型�,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)�8nC
總功�(Ptot)�0.7W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
AZC199-04S具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可減少功率損耗并提升效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,適合高頻應(yīng)��
3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗干擾能力�
4. 小尺寸SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 支持表面貼裝工藝,提高了生產(chǎn)自動(dòng)化水��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
7. �(wěn)定性高,適用于�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(shè)備�
該芯片廣泛應(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的功率開(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制電路�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān)及過(guò)流保�(hù)�
5. 各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換與隔��
7. 其他需要高效功率開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
AZC199-06S
AZC200-04S
FDMC8820
IRLML6401