B15N10D是一種N溝道MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)和功率管理領(lǐng)域。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于多種電子電路中的功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載驅(qū)動應(yīng)用。
這種MOSFET采用TO-252表面貼裝封裝形式,適合在空間受限的設(shè)計中使用。其設(shè)計旨在提供高效率和可靠性,同時支持較高的工作電壓和電流。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:8A
柵源電壓:±20V
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.4Ω(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:1.3W
結(jié)溫范圍:-55℃至150℃
B15N10D的主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,這使得它非常適合用作高效能開關(guān)元件。此外,該器件還具備以下優(yōu)點(diǎn):
1. 快速開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高整體效率。
2. 高雪崩能量承受能力,增強(qiáng)系統(tǒng)在異常條件下的魯棒性。
3. 良好的熱穩(wěn)定性和低噪音性能。
4. TO-252封裝形式簡化了PCB布局設(shè)計,并提高了散熱效果。
B15N10D的這些特點(diǎn)使其成為眾多功率電子應(yīng)用的理想選擇,尤其是在需要頻繁開關(guān)操作和較高電流處理能力的情況下。
B15N10D常用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)控制和驅(qū)動電路。
3. 各種保護(hù)電路,如過流保護(hù)和短路保護(hù)。
4. LED驅(qū)動器和背光驅(qū)動電路。
5. 充電器和其他便攜式設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 工業(yè)自動化控制中的信號隔離和功率放大。
由于其高效的開關(guān)特性和可靠的性能,B15N10D能夠滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對小型化、高性能和低功耗的需求。
BSC15N10NS3G, IRFZ44N, FDP17N10Z