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B37979N1100J054 發(fā)布時間 時間:2025/4/25 10:18:55 查看 閱讀:35

B37979N1100J054 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道功率 MOSFET。該器件基于先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,適用于高效率開關(guān)應(yīng)用。其封裝形式為 TO-263(D2PAK),具有較低的導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)特性,適合用于各種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動等場景。
  這款功率 MOSFET 以其出色的性能、可靠性和耐用性而聞名,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車領(lǐng)域。

參數(shù)

型號:B37979N1100J054
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電壓 (VDS):100 V
  最大柵源電壓 (VGS):±20 V
  連續(xù)漏極電流 (ID):45 A
  導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):2.8 mΩ (在 VGS = 10 V 時)
  總功耗:190 W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  柵極電荷 (Qg):73 nC

特性

提供了低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 和低柵極電荷 (Qg),能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。它具備較高的雪崩能力,增強(qiáng)了器件的耐用性和可靠性。此外,該產(chǎn)品支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境。
  其優(yōu)異的熱性能設(shè)計(jì)允許更高的電流密度,同時保持較低的溫升,從而提高系統(tǒng)效率。另外,B37979N1100J054 的短路耐受時間較長,在典型的負(fù)載條件下可以承受至少 10 微秒的短路事件。
  該器件還符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)保與合規(guī)性。通過采用 Vishay 先進(jìn)的制造技術(shù),B37979N1100J054 能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高性能和高可靠性的需求。

應(yīng)用

廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器和主開關(guān)
  2. 直流/直流轉(zhuǎn)換器中的高端或低端開關(guān)
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)動電路
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和切換功能
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換
  6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的功率管理模塊
  7. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換單元
  B37979N1100J054 憑借其卓越的性能指標(biāo)和靈活性,成為眾多工程師在設(shè)計(jì)高效功率轉(zhuǎn)換電路時的首選。

替代型號

BSC018N10NS3, IRF840A, FDP5500

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b37979n1100j054參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別電容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列B37979N
  • 電容10pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 容差±5%
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型通孔
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應(yīng)用RF,微波,高頻,自動式
  • 額定值AEC-Q200
  • 封裝/外殼徑向
  • 尺寸/尺寸0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm)
  • 高度 - 座高(最大)0.098"(2.50mm)
  • 厚度(最大)-
  • 引線間隔0.098"(2.50mm)
  • 特點(diǎn)-
  • 包裝帶盒(TB)
  • 引線型紐結(jié)
  • 其它名稱495-1000-3B37979N1100J 54B37979N1100J54