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B37979N1100J054 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 10:18:55 查看 閱讀�35

B37979N1100J054 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET。該器件基于先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,適用于高效率開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具有較低的�(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)特�,適合用于各種電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動等場景�
  這款功率 MOSFET 以其出色的性能、可靠性和耐用性而聞名,廣泛�(yīng)用于工業(yè)、消�(fèi)電子以及汽車�(lǐng)��

參數(shù)

型號:B37979N1100J054
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  封裝:TO-263 (D2PAK)
  最大漏源電� (VDS)�100 V
  最大柵源電� (VGS):�20 V
  連續(xù)漏極電流 (ID)�45 A
  �(dǎo)通電� (RDS(on))�2.8 mΩ (� VGS = 10 V �)
  總功耗:190 W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  柵極電荷 (Qg)�73 nC

特�

提供了低�(dǎo)通電� (RDS(on)) 和低柵極電荷 (Qg),能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。它具備較高的雪崩能�,增�(qiáng)了器件的耐用性和可靠�。此�,該�(chǎn)品支持寬范圍的工作溫度,適應(yīng)各種�(yán)苛環(huán)��
  其優(yōu)異的熱性能�(shè)�(jì)允許更高的電流密度,同時保持較低的溫升,從而提高系�(tǒng)效率。另�,B37979N1100J054 的短路耐受時間較長,在典型的負(fù)載條件下可以承受至少 10 微秒的短路事��
  該器件還符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),確保環(huán)保與合規(guī)�。通過采用 Vishay 先�(jìn)的制造技�(shù),B37979N1100J054 能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高性能和高可靠性的需求�

�(yīng)�

廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器和主開�(guān)
  2. 直流/直流�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)動電�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和切換功�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切�
  6. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率管理模�
  7. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換單�
  B37979N1100J054 憑借其卓越的性能指標(biāo)和靈活�,成為眾多工程師在設(shè)�(jì)高效功率�(zhuǎn)換電路時的首��

替代型號

BSC018N10NS3, IRF840A, FDP5500

b37979n1100j054推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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b37979n1100j054參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列B37979N
  • 電容10pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 容差±5%
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型通孔
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�RF,微�,高頻,自動�
  • 額定�AEC-Q200
  • 封裝/外殼徑向
  • 尺寸/尺寸0.217" L x 0.197" W�5.50mm x 5.00mm�
  • 高度 - 座高(最大)0.098"�2.50mm�
  • 厚度(最大)-
  • 引線間隔0.098"�2.50mm�
  • 特點(diǎn)-
  • 包裝帶盒(TB�
  • 引線�紐結(jié)
  • 其它名稱495-1000-3B37979N1100J 54B37979N1100J54