B39941B9515P810 是一款由英飛凌(Infineon)生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TO-263-3 封裝形式,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載切換等應(yīng)用場合。該 MOSFET 具有快速開關(guān)速度和高效率的特點,適用于需要高性能功率管理的應(yīng)用場景。
該型號的命名規(guī)則遵循了英飛凌的標(biāo)準(zhǔn),其中包含了電壓等級、封裝形式以及性能參數(shù)的信息。通過其設(shè)計,B39941B9515P810 能夠滿足工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的多種需求。
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流:28A
導(dǎo)通電阻:7.5mΩ
柵極電荷:36nC
總功耗:125W
工作溫度范圍:-55℃ to 175℃
B39941B9515P810 的主要特點是其低導(dǎo)通電阻和高效率,在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗。同時,該器件具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常運行。
此外,由于采用了先進(jìn)的制造工藝,該 MOSFET 在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出色,能夠有效降低開關(guān)損耗。它的短路耐受能力和抗浪涌能力較強,因此在復(fù)雜電路環(huán)境中也具有很高的耐用性。
B39941B9515P810 的封裝形式 TO-263-3 提供了良好的散熱性能,并且易于安裝在印刷電路板上。這種設(shè)計使其非常適合用于緊湊型和高性能的設(shè)計方案。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的領(lǐng)域,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動控制器、LED 驅(qū)動器以及其他工業(yè)和消費類電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
此外,B39941B9515P810 還可以用于電池管理系統(tǒng)(BMS),幫助實現(xiàn)精確的電流控制和高效的能量管理。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使得它成為許多大功率應(yīng)用的理想選擇。
BSC016N06NS3, IRF540N