B39941B9515P810 時間：2025/5/7 9:48:27 閱讀：21

B39941B9515P810 是一款由英飛凌（Infineon）生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TO-263-3 封裝形式，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、負(fù)載切換等應(yīng)用場合。該 MOSFET 具有快速開關(guān)速度和高效率的特點，適用于需要高性能功率管理的應(yīng)用場景。
　　該型號的命名規(guī)則遵循了英飛凌的標(biāo)準(zhǔn)，其中包含了電壓等級、封裝形式以及性能參數(shù)的信息。通過其設(shè)計，B39941B9515P810 能夠滿足工業(yè)和消費電子領(lǐng)域的多種需求。

參數(shù)

最大漏源電壓：150V
　　連續(xù)漏極電流：28A
　　導(dǎo)通電阻：7.5mΩ
　　柵極電荷：36nC
　　總功耗：125W
　　工作溫度范圍：-55℃ to 175℃

特性

B39941B9515P810 的主要特點是其低導(dǎo)通電阻和高效率，在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗。同時，該器件具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)正常運行。
　　此外，由于采用了先進(jìn)的制造工藝，該 MOSFET 在高頻開關(guān)條件下表現(xiàn)出色，能夠有效降低開關(guān)損耗。它的短路耐受能力和抗浪涌能力較強，因此在復(fù)雜電路環(huán)境中也具有很高的耐用性。
　　B39941B9515P810 的封裝形式 TO-263-3 提供了良好的散熱性能，并且易于安裝在印刷電路板上。這種設(shè)計使其非常適合用于緊湊型和高性能的設(shè)計方案。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)控制的領(lǐng)域，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、逆變器、不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動控制器、LED 驅(qū)動器以及其他工業(yè)和消費類電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
　　此外，B39941B9515P810 還可以用于電池管理系統(tǒng)（BMS），幫助實現(xiàn)精確的電流控制和高效的能量管理。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使得它成為許多大功率應(yīng)用的理想選擇。