BAR64-02VH6327 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的高性能單刀雙擲開關(guān)(SPDT Switch)芯�,廣泛應(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)中。該芯片采用增強(qiáng)型偽晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)技�(shù)制�,具有低插入損�、高隔離度以及出色的線性設(shè)備、測(cè)試測(cè)�?jī)x器以及其他高頻應(yīng)用場(chǎng)��
BAR64-02VH6327 的設(shè)�(jì)支持高達(dá) 6 GHz 的頻率范�,能夠滿足多種寬帶射頻信�(hào)切換需求。同�(shí),它還具備低功耗的特點(diǎn),非常適合對(duì)電源效率要求較高的場(chǎng)��
工作頻率范圍:DC � 6 GHz
插入損耗:典型� 0.5 dB(在 4 GHz 下)
隔離度:典型� 40 dB(在 4 GHz 下)
VSWR�1.2:1(最大值)
輸入三階截點(diǎn) (IIP3)�+50 dBm(典型值)
控制電壓:正邏輯控制�+0 V / +5 V�
靜態(tài)電流:每�(gè)通道 8 mA(典型值)
供電電壓�+5 V ±5%
封裝形式�6 引腳 QFN 封裝
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
BAR64-02VH6327 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的插入損耗,確保信號(hào)傳輸�(shí)的能量損失最小�
2. 高隔離度性能,在不同端口之間提供出色的信�(hào)屏蔽效果�
3. 良好的線性度,能夠承受較高的輸入功率而不失真�
4. 支持寬廣的工作頻率范�,適用于從低頻到高頻的多種應(yīng)��
5. 正邏輯控制簡(jiǎn)單易用,�(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換電��
6. 小尺寸封裝設(shè)�(jì),有助于減少整體解決方案的空間占用�
7. 可靠性高,能夠在工業(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
這款射頻開關(guān)芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)施,例如蜂窩基站、WiMAX � LTE 系統(tǒng)�
2. �(cè)試與�(cè)量設(shè)�,如�(wǎng)�(luò)分析儀、頻譜分析儀�
3. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的�/下變頻器模塊�
4. 雷達(dá)系統(tǒng)中的信號(hào)路由選擇�
5. �(yī)療成像設(shè)備和其他需要高頻信�(hào)切換的場(chǎng)合�
6. 工業(yè)、科�(xué)及醫(yī)� (ISM) 頻段相關(guān)�(chǎn)��
由于其優(yōu)異的電氣特性和緊湊的外形尺�,BAR64-02VH6327 成為許多�(xiàn)代射頻系�(tǒng)�(shè)�(jì)的理想選擇�
BAR64-02VH6313, BAR64-02VH6321