1、最大集電極-基極電壓：45V
　　2、最大集電極-發(fā)射極電壓：50V
　　3、最大集電極電流：100mA
　　4、最大功率耗散：225mW
　　5、DC電流放大因子：70-700
　　6、最大共集極電流放大因子：200
　　7、最大頻率：100MHz
　　8、封裝形式：SOT-23、SOT-223、TO-236等

BC847B晶體管由三個(gè)區(qū)域組成：P型區(qū)、N型區(qū)和P型區(qū)。其中，N型區(qū)是中間的發(fā)射區(qū)，P型區(qū)是左邊的基區(qū)和右邊的集電區(qū)。在正常工作狀態(tài)下，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成正向偏置，集電區(qū)與基區(qū)之間形成反向偏置。

BC847B晶體管是一種雙極性晶體管，它的工作原理可以分為放大和開(kāi)關(guān)兩種模式。
　　1、放大模式
　　在放大模式下，當(dāng)電流從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)時(shí)，由于基區(qū)與發(fā)射區(qū)之間形成正向偏置，會(huì)使得大量電子從發(fā)射區(qū)向基區(qū)流動(dòng)。這些電子將在基區(qū)中不斷碰撞，從而產(chǎn)生大量的少子和空穴。其中的少子流向集電區(qū)，形成集電電流，從而使晶體管的輸出信號(hào)得到放大。
　　2、開(kāi)關(guān)模式
　　在開(kāi)關(guān)模式下，當(dāng)基極電壓足夠高時(shí)，會(huì)使得基區(qū)與發(fā)射區(qū)之間的PN結(jié)反向擊穿，形成一個(gè)低阻抗通路，從而使得集電區(qū)與發(fā)射區(qū)之間形成導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí)，晶體管相當(dāng)于一個(gè)開(kāi)關(guān)，可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的開(kāi)關(guān)控制。

BC847B晶體管廣泛應(yīng)用于音頻放大器、射頻放大器、混頻器和振蕩器等電路中。具體應(yīng)用如下：
　　1、信號(hào)放大：BC847B晶體管可以用于各類(lèi)信號(hào)放大電路中，如音頻放大器、微波放大器等。
　　2、混頻器：BC847B晶體管可以用于各類(lèi)混頻器電路中，可以實(shí)現(xiàn)信號(hào)的頻率轉(zhuǎn)換和混頻。
　　3、振蕩器：BC847B晶體管可以用于各類(lèi)振蕩器電路中，可以實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)的產(chǎn)生和調(diào)制。

1、電路需求分析
　　在設(shè)計(jì)BC847B晶體管電路之前，需要對(duì)電路需求進(jìn)行分析，包括輸入輸出信號(hào)的幅值、頻率、帶寬等參數(shù)。
　　2、電路方案設(shè)計(jì)
　　根據(jù)電路需求，設(shè)計(jì)電路方案。考慮電路的放大倍數(shù)、頻率響應(yīng)、穩(wěn)定性等因素，確定電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)。
　　3、電路模擬仿真
　　利用電路仿真軟件對(duì)電路進(jìn)行模擬仿真，驗(yàn)證電路方案的可行性和性能指標(biāo)。根據(jù)仿真結(jié)果，對(duì)電路進(jìn)行調(diào)整和優(yōu)化。
　　4、電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
　　根據(jù)電路方案和仿真結(jié)果，進(jìn)行電路實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。通過(guò)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，驗(yàn)證電路方案的正確性和性能指標(biāo)是否符合需求。
　　5、電路優(yōu)化改進(jìn)
　　根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果，對(duì)電路進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)�？梢钥紤]調(diào)整元器件參數(shù)、改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)等方法，以達(dá)到更好的性能指標(biāo)和效果。

1、在使用BC847B晶體管時(shí)，需要注意其最大電壓、電流和功率耗散等參數(shù)，以避免因超過(guò)其極限值而燒毀晶體管。
　　2、在電路設(shè)計(jì)中，需要考慮到晶體管的溫度漂移和噪聲系數(shù)等因素，以確保電路的穩(wěn)定性和性能指標(biāo)。
　　3、在使用BC847B晶體管時(shí)，需要注意其封裝形式和引腳排列，以確保正確的安裝和連接。
　　4、在電路調(diào)試和測(cè)試時(shí)，需要注意電路的輸入輸出信號(hào)的幅值和頻率，以避免對(duì)晶體管造成損害。
　　5、在使用BC847B晶體管時(shí)，需要注意其極性，確保正確連接各個(gè)引腳。