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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BC847B

BC847B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/7/19 15:14:05 查看 閱讀�582

BC847B是一種NPN通用小信�(hào)晶體�,具有高電壓能力和低噪聲系數(shù)。它廣泛�(yīng)用于音頻放大�、射頻放大器、混頻器和振蕩器等電路中�
  BC847B的最大集電極-基極電壓�45V,最大集電極-�(fā)射極電壓�50V,最大集電極電流�100mA,最大功率耗散�225mW。它的封裝形式有SOT-23、SOT-223和TO-236等多�,方便用�(hù)選擇�
  BC847B具有低噪聲系�(shù),能夠減小信�(hào)失真,提高信�(hào)�(zhì)量。同�(shí),它的高電壓能力使得它可以在高壓�(huán)境下�(wěn)定工�,適用于高壓電路的設(shè)�(jì)。此外,BC847B還具有高共集極電流放大因子和低輸入電阻等特點(diǎn),可用于特定的應(yīng)用場(chǎng)��
  總之,BC847B是一種性能�(wěn)�、功能全面的小信�(hào)晶體�,適用于多種電路�(shè)�(jì)�

參數(shù)和指�(biāo)

1、最大集電極-基極電壓�45V
  2、最大集電極-�(fā)射極電壓�50V
  3、最大集電極電流�100mA
  4、最大功率耗散�225mW
  5、DC電流放大因子�70-700
  6、最大共集極電流放大因子�200
  7、最大頻率:100MHz
  8、封裝形式:SOT-23、SOT-223、TO-236�

�(jié)�(gòu)組成

BC847B晶體管由三�(gè)區(qū)域組成:P型區(qū)、N型區(qū)和P型區(qū)。其�,N型區(qū)是中間的�(fā)射區(qū),P型區(qū)是左邊的基區(qū)和右邊的集電區(qū)。在正常工作狀�(tài)�,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成正向偏置,集電區(qū)與基區(qū)之間形成反向偏置�

工作原理

BC847B晶體管是一種雙極性晶體管,它的工作原理可以分為放大和�(kāi)�(guān)兩種模式�
  1、放大模�
  在放大模式下,當(dāng)電流從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)�(shí),由于基區(qū)與發(fā)射區(qū)之間形成正向偏置,會(huì)使得大量電子從發(fā)射區(qū)向基區(qū)流動(dòng)。這些電子將在基區(qū)中不斷碰�,從而產(chǎn)生大量的少子和空�。其中的少子流向集電區(qū),形成集電電�,從而使晶體管的輸出信號(hào)得到放大�
  2、開(kāi)�(guān)模式
  在開(kāi)�(guān)模式�,當(dāng)基極電壓足夠高時(shí),會(huì)使得基區(qū)與發(fā)射區(qū)之間的PN�(jié)反向擊穿,形成一�(gè)低阻抗通路,從而使得集電區(qū)與發(fā)射區(qū)之間形成�(dǎo)通狀�(tài)。此�(shí),晶體管相當(dāng)于一�(gè)�(kāi)�(guān),可以實(shí)�(xiàn)信號(hào)的開(kāi)�(guān)控制�

�(yīng)�

BC847B晶體管廣泛應(yīng)用于音頻放大�、射頻放大器、混頻器和振蕩器等電路中。具體應(yīng)用如下:
  1、信�(hào)放大:BC847B晶體管可以用于各�(lèi)信號(hào)放大電路�,如音頻放大器、微波放大器��
  2、混頻器:BC847B晶體管可以用于各�(lèi)混頻器電路中,可以實(shí)�(xiàn)信號(hào)的頻率轉(zhuǎn)換和混頻�
  3、振蕩器:BC847B晶體管可以用于各�(lèi)振蕩器電路中,可以實(shí)�(xiàn)射頻信號(hào)的產(chǎn)生和�(diào)��

�(shè)�(jì)流程

1、電路需求分�
  在設(shè)�(jì)BC847B晶體管電路之�,需要對(duì)電路需求�(jìn)行分析,包括輸入輸出信號(hào)的幅�、頻率、帶寬等參數(shù)�
  2、電路方案設(shè)�(jì)
  根據(jù)電路需�,設(shè)�(jì)電路方案。考慮電路的放大倍數(shù)、頻率響�(yīng)、穩(wěn)定性等因素,確定電路的�?fù)浣Y(jié)�(gòu)和元器件參數(shù)�
  3、電路模擬仿�
  利用電路仿真軟件�(duì)電路�(jìn)行模擬仿真,�(yàn)證電路方案的可行性和性能指標(biāo)。根�(jù)仿真�(jié)果,�(duì)電路�(jìn)行調(diào)整和�(yōu)��
  4、電路實(shí)�(yàn)�(yàn)�
  根據(jù)電路方案和仿真結(jié)�,�(jìn)行電路實(shí)�(yàn)�(yàn)�。通過(guò)�(shí)�(yàn)�(jié)�,驗(yàn)證電路方案的正確性和性能指標(biāo)是否符合需求�
  5、電路優(yōu)化改�(jìn)
  根據(jù)�(shí)�(yàn)�(jié)�,對(duì)電路�(jìn)行優(yōu)化改�(jìn)??梢钥紤]�(diào)整元器件參數(shù)、改變拓?fù)浣Y(jié)�(gòu)等方�,以�(dá)到更好的性能指標(biāo)和效��

注意事項(xiàng)

1、在使用BC847B晶體管時(shí),需要注意其最大電�、電流和功率耗散等參�(shù),以避免因超�(guò)其極限值而燒毀晶體管�
  2、在電路�(shè)�(jì)中,需要考慮到晶體管的溫度漂移和噪聲系數(shù)等因�,以確保電路的穩(wěn)定性和性能指標(biāo)�
  3、在使用BC847B晶體管時(shí),需要注意其封裝形式和引腳排�,以確保正確的安裝和連接�
  4、在電路�(diào)試和�(cè)試時(shí),需要注意電路的輸入輸出信號(hào)的幅值和頻率,以避免�(duì)晶體管造成損害�
  5、在使用BC847B晶體管時(shí),需要注意其極�,確保正確連接各�(gè)引腳�

bc847b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

bc847b資料 更多>

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bc847b參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)45V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)600mV @ 5mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)200 @ 2mA�5V
  • 功率 - 最�250mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�100MHz
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)497-2524-2