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BC848BT116 發(fā)布時間 時間�2022/12/29 14:32:25 查看 閱讀�371

    類別:分離式半導體產�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�30V

    

目錄

概述

    類別:分離式半導體產�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�100mA

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�30V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�600mV @ 5mA, 100mA

    電流 - 集電極截止(最大)�-

    在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)�200 @ 2mA, 5V

    功率 - 最大:350mW

    頻率 - 轉換�200MHz

    安裝類型:表面貼�

    封裝/外殼:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包裝:帶� (TR)

    供應商設備封裝:*


資料

廠商
ROHM Semiconductor

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bc848bt116參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)600mV @ 5mA�100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)200 @ 2mA�5V
  • 功率 - 最�350mW
  • 頻率 - 轉換200MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SST3
  • 包裝帶卷 (TR)