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BC857BLT1G 發(fā)布時間 時間：2022/12/30 10:30:42 查看 閱讀：994

    晶體管極性:Dual P

    電壓, Vceo:45V

    截止頻率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:300mW

    集電極直流電流:100mA

    直流電流增益 hFE:100

    

目錄

概述

    晶體管極性:Dual P

    電壓, Vceo:45V

    截止頻率 ft, 典型值:100MHz

    功耗, Pd:300mW

    集電極直流電流:100mA

    直流電流增益 hFE:100

    封裝類型:SOT-23

    針腳數(shù):3

    SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):No SVHC (18-Jun-2010)

    功耗:225mW

    封裝類型:SOT-23

    總功率, Ptot:0.3W

    晶體管類型:Bipolar

    最大連續(xù)電流, Ic:100mA

    電流, Ic hFE:475mA

    直流電流增益 hfe, 最小值:220

    表面安裝器件:表面安裝

    飽和電壓, Vce sat 最大:0.3V


資料

廠商
ON Semiconductor

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bc857blt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）45V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）650mV @ 5mA，100mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)220 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大225mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換100MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱BC857BLT1GOSTR