BCT3661BELT-TR 是一款雙通道 N 溝道邏輯電平增強� MOSFET,采用小型化� LLP2512 封裝。這款器件專為低電壓應(yīng)用設(shè)�,具有極低的�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,適用于�(fù)載切�、電�(jī)�(qū)動和電源管理等場��
該型號結(jié)合了高性能與緊湊封裝的�(yōu)�,使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏電流:3.7A
典型�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.8mΩ @ Vgs=4.5V
柵極電荷�2.9nC
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:LLP2512 (2.5x1.2mm)
功耗:0.5W
BCT3661BELT-TR 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效減少功率損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻操作環(huán)��
3. 高溫適應(yīng)�,支持高�(dá) 175°C 的結(jié)��
4. 小型化封裝,節(jié)� PCB 布局空間�
5. 支持邏輯電平�(qū)動,簡化控制電路�(shè)��
該器件廣泛應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 移動�(shè)備中的負(fù)載切換�
2. 電池供電系統(tǒng)中的電源管理�
3. 小型電機(jī)�(qū)動與控制�
4. 信號�(diào)理與保護(hù)電路�
5. 開關(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流功能�
BCT3661BEHT-TR, BSC3661BELT-TR