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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > BD435

BD435 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2022/12/30 10:30:55 查看 閱讀�522

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類(lèi)型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�4A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�32V

   


目錄

概述

    �(lèi)別:分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�

    家庭:晶體管(BJT) - 單路

    系列�-

    晶體管類(lèi)型:NPN

    電流 - 集電� (Ic)(最大)�4A

    電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)�32V

    Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)�500mV @ 200mA, 2A

    電流 - 集電極截止(最大)�100?A

    在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)�40 @ 10mA, 5V

    功率 - 最大:36W

    頻率 - �(zhuǎn)換:3MHz

    安裝�(lèi)型:通孔

    封裝/外殼:TO-126-3

    包裝:管�

    供應(yīng)商設(shè)備封裝:*

    其它名稱(chēng)�497-7169-5STBD435STBD435-ND


資料

�(chǎng)�
STMICROELECTRONICS

bd435推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
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  • NPN Epitaxial Silicon Transistor, TO...
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bd435參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)4A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)32V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)500mV @ 200mA�2A
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)85 @ 500mA�1V
  • 功率 - 最�36W
  • 頻率 - �(zhuǎn)�3MHz
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-225AA,TO-126-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO225AA
  • 包裝散裝