BD5230G-TR 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的N溝道MOSFET晶體�。它采用超小型DFN1610封裝,適合于需要高效能和小體積�(shè)計的�(yīng)用場景。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度等特�,廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制�(lǐng)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.3A
�(dǎo)通電阻:90mΩ
柵極閾值電壓:1.7V
功耗:830mW
工作溫度范圍�-40℃至+125�
BD5230G-TR擁有非常低的�(dǎo)通電�,在典型的工作條件下可以降低功率損�,提升整體效�。此�,其快速的開關(guān)性能使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用�
由于采用了DFN1610封裝,該器件在PCB布局上能夠節(jié)省空�,并且具備良好的散熱性能�
此產(chǎn)品還具有較高的靜電放電(ESD)保�(hù)能力,增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠�。同�,其低柵極電荷和輸入電容有助于減少驅(qū)動損耗并簡化電路�(shè)��
BD5230G-TR適用于多種電力電子應(yīng)�,例如負(fù)載開�(guān)、DC/DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)動器以及電池管理單元��
在智能手�(jī)和平板電腦中,可以用作電源管理模塊中的關(guān)鍵組件;在汽車電子系�(tǒng)�(nèi),則可用于車身控制模塊或信息娛樂系統(tǒng)的供電部分�
其他典型�(yīng)用包括USB接口保護(hù)、藍(lán)牙耳機(jī)充電盒電路、便攜式�(yī)療設(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)終端節(jié)�(diǎn)等低功耗設(shè)計場��
BD5231G-TR