BDFN10A054R是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,采用DFN封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
該型�(hào)的晶體管屬于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(E-Mode FET),能夠提供卓越的功率密度和效率表現(xiàn),同�(shí)其緊湊的封裝尺寸有助于減少整體電路板空間占用�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�30nC
�(kāi)�(guān)速度:超�
封裝形式:DFN
工作溫度范圍�-55℃至+175�
BDFN10A054R采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),具備非常低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。其超快的開(kāi)�(guān)速度使得該器件能夠在高頻條件下運(yùn)�,從而減小無(wú)源元件的尺寸并�(jìn)一步優(yōu)化整體設(shè)�(jì)�
此外,該晶體管的柵極�(qū)�(dòng)要求與傳�(tǒng)硅基MOSFET兼容,便于在�(xiàn)有設(shè)�(jì)中�(jìn)行升�(jí)替換。出色的熱性能和高溫工作能力也使其適合工業(yè)�(jí)及汽�(chē)�(jí)�(yīng)用環(huán)��
由于其高效的能量�(zhuǎn)換特性和較小的寄生電感,BDFN10A054R成為�(xiàn)代電力電子設(shè)�(jì)的理想選擇,尤其是在追求小型化和輕量化的�(chǎn)品中�
BDFN10A054R廣泛�(yīng)用于各類(lèi)高效功率�(zhuǎn)換領(lǐng)�,包括但不限于:
- �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
- 新能源汽�(chē)中的�(chē)載充電器(OBC)和DC-DC變換�
- 太陽(yáng)能微型逆變�
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
其高頻工作能力和低損耗特性特別適用于需要高功率密度和高效率的設(shè)�(jì)�
GaN060-10-E8,
BGFN10A060,
EPC2016C