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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BDFN1C051U

BDFN1C051U 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 17:46:27 查看 閱讀�24

BDFN1C051U是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的高壓N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-263-3封裝,適用于高電壓和大電流的�(yīng)用場�。它具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓以及快速開�(guān)特性,使其在開�(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等�(lǐng)域有廣泛�(yīng)��

參數(shù)

型號:BDFN1C051U
  制造商:Toshiba
  封裝:TO-263-3
  Vds(漏源極擊穿電壓):600V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�0.4Ω
  Id(連續(xù)漏極電流):1A
  Ptot(總功耗)�1.2W
  Tj(結(jié)溫范圍)�-55℃至+175�
  柵極電荷(Qg):8nC
  輸入電容(Ciss):490pF

特�

BDFN1C051U是一種高性能的功率MOSFET,主要特點包括:
  1. 高耐壓能力:高�600V的Vds使其能夠承受較高的電壓波�,適合于高壓�(yīng)用環(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:其Rds(on)僅為0.4Ω,在大電流條件下可以顯著降低�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能:由于較低的柵極電荷和輸入電�,BDFN1C051U具有較快的開�(guān)速度,減少了開關(guān)損��
  4. 寬工作溫度范圍:支持�-55℃到+175℃的�(jié)溫范圍,適應(yīng)各種惡劣的工作條��
  5. 小型化封裝:TO-263-3封裝既保證了良好的散熱性能,又節(jié)省了PCB空間�
  這些特性使得該器件非常適合用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器等對效率和可靠性要求較高的場合�

�(yīng)�

BDFN1C051U廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):
   - 作為主開�(guān)管或同步整流管使��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
   - 在降壓或升壓電路中擔(dān)任功率開�(guān)的角色�
  3. 電機�(qū)動:
   - 控制直流無刷電機或步進電機的運行狀�(tài)�
  4. 逆變器:
   - 用于太陽能逆變器或其他類型的電力轉(zhuǎn)換設(shè)��
  5. 過流保護電路�
   - 實現(xiàn)高效的電子保險絲功能�
  總之,這款MOSFET憑借其出色的電氣特性和�(wěn)定性,成為眾多高壓、大電流�(yīng)用的理想選擇�

替代型號

IRF840,
  STP16NM60,
  FQA14P60,
  IXTH18N60L

bdfn1c051u推薦供應(yīng)� 更多>

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