時(shí)間：2025/5/24 18:05:39
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BDFN2A241V35 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，適用于高效率、低功耗的開關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，能夠在高頻工作條件下保持優(yōu)異的性能。
其封裝形式通常為 TO-263（DPAK），具備出色的散熱性能，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換等領(lǐng)域。
最大漏源電壓：200V
連續(xù)漏極電流：2.8A
導(dǎo)通電阻：1.3Ω
柵極電荷：17nC
開關(guān)時(shí)間：ton=39ns, toff=28ns
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 150℃
BDFN2A241V35 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，適合高頻應(yīng)用場合。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性。
4. 具備較強(qiáng)的抗靜電能力 (ESD)，確保了更高的可靠性。
5. 小巧且高效的表面貼裝封裝，簡化了 PCB 設(shè)計(jì)并提高了散熱性能。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
BDFN2A241V35 在性能與成本之間取得了良好的平衡，使其成為眾多中功率應(yīng)用的理想選擇。
該 MOSFET 常用于以下領(lǐng)域 (SMPS) 中的初級側(cè)或次級側(cè)開關(guān)。
2. 直流無刷電機(jī) (BLDC) 驅(qū)動(dòng)中的功率級控制。
3. 各類負(fù)載切換電路，例如汽車電子中的繼電器替代方案。
4. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)。
放電管理。
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸控制。
BDFN2A241V35 憑借其出色的電氣性能和熱性能，在。
BDP0220W4,
IRFZ44N,
STP20NF06
