時間：2025/6/4 2:43:25
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BDFN2C081V35 是一款高性能的 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于多種電力電子應(yīng)用。該器件采用先進的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高可靠性等特性。其封裝形式為 TO-252（DPAK），能夠滿足緊湊設(shè)計的需求。BDFN2C081V35 適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)、電機驅(qū)動以及各種電源管理電路中。
該 MOSFET 的關(guān)鍵特點在于它的高效率表現(xiàn)，同時其額定電壓和電流參數(shù)使其非常適合中低壓應(yīng)用場景。
最大漏源電壓：80V
連續(xù)漏極電流：4.9A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：35mΩ
柵極電荷（Qg）：7nC
輸入電容（Ciss）：330pF
反向恢復(fù)時間（trr）：60ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：TO-252（DPAK）
BDFN2C081V35 具有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可顯著降低導(dǎo)通損耗，提高整體效率。
2. 快速開關(guān)能力，有助于減少開關(guān)損耗，特別適合高頻應(yīng)用。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常條件下的魯棒性。
4. 小尺寸封裝，便于 PCB 布局設(shè)計，節(jié)省空間。
5. 寬溫度范圍支持，確保在極端環(huán)境下的可靠運行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中。
這些特性使 BDFN2C081V35 成為眾多高效能電力轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
BDFN2C081V35 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流和初級開關(guān)。
2. 便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)和電池保護。
3. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，包括降壓、升壓和升降壓拓撲。
4. 電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
5. 工業(yè)自動化和消費類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。
由于其高效的性能和小尺寸封裝，BDFN2C081V35 在需要高密度集成和低功耗的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。
BSC082N06NS3G, IRF7413, FDP087N06L
