BDFNR2C051DS 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),由 Bosch 公司設(shè)計(jì)制造。這款器件主要用于高頻和高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線充電系統(tǒng)以及車載電子設(shè)備等。得益于 GaN 材料的優(yōu)異特性,BDFNR2C051DS 具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高工作頻率的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的整體性能和能效。
該器件采用 DFN 封裝形式,具有緊湊的尺寸和良好的散熱性能,適合在空間受限的應(yīng)用環(huán)境中使用。同時(shí),其內(nèi)置的保護(hù)功能(如過流保護(hù)和短路保護(hù))增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
型號(hào):BDFNR2C051DS
封裝:DFN8
額定電壓:650 V
額定電流:3.6 A
導(dǎo)通電阻:51 mΩ
柵極電荷:37 nC
最大工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
存儲(chǔ)溫度范圍:-55℃ 至 150℃
結(jié)殼熱阻:20 ℃/W
BDFNR2C051DS 的主要特性包括:
1. 高開關(guān)頻率支持,可達(dá)數(shù) MHz,適用于高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 51 mΩ),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能,減少開關(guān)損耗并優(yōu)化動(dòng)態(tài)表現(xiàn)。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能,提供更高的可靠性。
5. 緊湊型 DFN 封裝,節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)具備出色的散熱能力。
6. 支持寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù),具備更好的耐高溫特性和更低的能量損耗。
7. 符合汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn),能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
BDFNR2C051DS 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng),例如車載充電器(OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)。
2. 工業(yè)設(shè)備中的高效電源模塊和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充適配器和無線充電解決方案。
4. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的高頻功率放大器和信號(hào)處理電路。
5. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景,如太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)。