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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > BFP460 H6327

BFP460 H6327 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 11:23:02 查看 閱讀�30

BFP460和H6327都是高頻晶體�,適用于射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域。BFP460是一種雙極性晶體管,采用硅鍺(SiGe)技�(shù)制�,具有較高的截止頻率(fT)和最大振蕩頻率(fMAX�,非常適合于高頻放大�、混頻器以及其他射頻電路�(shè)�(jì)。H6327則是一款基于砷化鎵(GaAs)材料的�(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,主要用于低噪聲放大和高頻信�(hào)處理�
  BFP460通常被用于無線通信�(shè)備中的功率放大器、前置放大器以及高頻開關(guān)電路。而H6327因其高增益和低噪聲特性,在衛(wèi)星通信、雷�(dá)系統(tǒng)以及�(cè)試測(cè)�?jī)x器中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

型號(hào):BFP460
  類型:NPN雙硅鍺(SiGe�
  工作電壓范圍�1V - 5V
  最大集電極電流�180mA
  最大集電極-�(fā)射極電壓�15V
  截止頻率(fT):20GHz
  最大振蕩頻率(fMAX):35GHz
  型號(hào):H6327
  類型:場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�
  材料:砷化鎵(GaAs�
  工作電壓范圍�1.5V - 5V
  最大漏極電流:200mA
  最大漏源電壓:12V
  增益帶寬積:10GHz
  噪聲系數(shù)�1dB

特�

BFP460的關(guān)鍵特性在于其超高的截止頻率(20GHz)和最大振蕩頻率(35GHz),這使其能夠勝任高頻和高速應(yīng)�。此外,該晶體管還具備較低的寄生電容和電�,從而提升了其在高頻下的效率和線性度�
  H6327的主要優(yōu)�(shì)在于其基于砷化鎵(GaAs)的材料�(jié)�(gòu),這種材料賦予了它卓越的高頻性能和低噪聲特�。它的增益帶寬積高達(dá)10GHz,并且在1GHz以下頻率范圍�(nèi),噪聲系�(shù)可以低至1dB,這使得它成為低噪聲放大器的理想選��
  兩者均采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了良好的散熱性能和可靠�。BFP460一般使用SOT-363小型表面貼裝封裝,而H6327則采用SMD形式的陶瓷封裝以滿足高頻�(yīng)用需��

�(yīng)�

BFP460的應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  - 射頻功率放大�
  - 高頻混頻�
  - 無線通信前端模塊
  - 微波開關(guān)
  - �(lán)牙和Wi-Fi模塊
  H6327的應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  - �(wèi)星通信接收�(jī)
  - 雷達(dá)系統(tǒng)的低噪聲放大�
  - �(cè)試測(cè)�?jī)x器中的高頻信�(hào)處理
  - 光纖通信中的前置放大�
  - 移動(dòng)通信基站的射頻前�

替代型號(hào)

BFP460: BFP462, BFP464, MRF219
  H6327: HEMT系列其他型號(hào)如HMC311, ATF-54143

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