BGM121N256V2是一款基于FRAM(鐵電隨機存取存儲器)技術的非易失性存儲芯�。FRAM結合了RAM和ROM的優(yōu)點,具有高速寫�、低功耗和高耐用性的特點。該芯片采用并行接口設計,支持寬電壓范圍操作,并提供高達256Kb的存儲容��
存儲容量�256Kb
工作電壓�1.8V~3.6V
接口類型:并行接�
數據保持時間:超�10�
擦寫周期�10^12�
工作溫度范圍�-40℃~+85�
封裝形式:SOP-8
BGM121N256V2的主要特性包括超低功耗操�、快速寫入速度和極高的耐久�。它不需要像EEPROM或閃存那樣的寫入延遲,可以在幾納秒內完成數據存儲�
由于其非易失�,即使在斷電后也能保留數�,因此非常適合需要頻繁寫入和可靠數據存儲的應用場�。此外,該芯片還具備抗輻射能�,在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定工��
相比傳統(tǒng)的EEPROM或閃存,BGM121N256V2具有更高的可靠性和更長的使用壽�,特別是在需要頻繁更新數據的工業(yè)和醫(yī)療設備中表現尤為突出�
BGM121N256V2廣泛應用于各種需要高性能存儲解決方案的領�,例如工�(yè)自動化控制、醫(yī)療設�、計量儀表、汽車電子以及消費類電子產品。具體應用包括數據記錄儀、實時監(jiān)控系�(tǒng)、傳感器數據存儲以及嵌入式系�(tǒng)的配置參數保存等�
由于其快速寫入和高耐久�,特別適合用于日志記錄、故障診斷和關鍵數據保護等功��
BGM121N256V1
BGS121N256V2
BGM121N512V2