BGU8009是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠顯著提高效率并減少功率損��
這款MOSFET適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。由于其出色的電氣性能和可靠�,BGU8009在工�(yè)控制、消�(fèi)電子以及通信�(shè)備等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
漏源極電�(Vds)�100V
柵源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�9A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�55mΩ(典型�,Vgs=10V�
輸入電容(Ciss)�320pF
輸出電容(Coss)�60pF
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�45ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
BGU8009具備以下主要特性:
1. 超低�(dǎo)通電阻Rds(on),有效降低傳�(dǎo)損��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
3. 較高的雪崩擊穿能量,提供更強(qiáng)的耐用性和可靠��
4. 極低的輸入和輸出電容,有助于�(yōu)化電路設(shè)�(jì)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)鉛封��
6. 小巧的封裝尺寸,便于PCB布局和節(jié)省空��
這些特性使得BGU8009成為高效率功率轉(zhuǎn)換的理想選擇�
BGU8009廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中用于升�、降壓或反激式拓?fù)�?br> 3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
4. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)與控��
5. 通信�(shè)備中的電源管理和信號(hào)處理�
6. 充電�、適配器以及其他便攜式設(shè)備的功率�(jí)組件�
其卓越的性能使其在各�(lèi)高低頻功率變換場(chǎng)合中表現(xiàn)出色�
BSC0909LS
BSC0909NS
IRF740