BGU8052是一種高性能的MOSFET功率晶體�,主要用于開�(guān)和放大應(yīng)用。該器件采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各類工�(yè)控制�(lǐng)��
其封裝形式通常為TO-220,這種封裝有助于提高散熱性能,確保在高功率應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大漏極電流:-52A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
柵極電荷�39nC
開關(guān)時間:ton=11ns, toff=24ns
工作溫度范圍�-55� to 175�
BGU8052具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率。此�,其快速的開關(guān)速度使其非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
該器件還具備出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下仍能保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)。同�,BGU8052支持大電流操�,并且擁有良好的電磁兼容�,降低了對周圍電路的干擾�
另外,它�(nèi)置了過溫保護和過流保護功能,增強了使用的安全��
BGU8052廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、逆變�、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動器��
在消費類電子�(chǎn)品方�,可用于筆記本電腦適配器、智能手機快充模塊以及LED照明�(qū)動電路�
工業(yè)�(lǐng)域中,該器件適用于伺服控制器、機器人動力系統(tǒng)以及工廠自動化裝備中的功率控制部��
BGU80N06LS G,
BSC058N06NS G,
IRF540N,
FDP55N06L